Способ активации фоточувствительности пленок полупроводниковых соединений типа aii bvi aiv и их твердых растворов
Способ активации фоточувствительности пленок полупроводниковых соединений типа AII BVI AIV BVI и их твердых растворов в шихте, включающий приготовление активирующей шихты, погружение подложек с нанесенными пленками в объем шихты, термообработку пленок в шихте, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет улучшения однородности фотоэлектрических свойств по поверхности пленок, при приготовлении шихту фракционируют, затем в процессе термообработки шихту подвергают воздействию вибрации при частоте 50-100 Гц и амплитуде 1-2 мм, причем используют фракцию шихты с однородным гранулометрическим составом.
Похожие патенты:
Способ изготовления мультискана // 1285545
Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов, в частности солнечных элементов
Способ изготовления солнечной батареи // 688054
Патент 427400 // 427400
Преобразователь излучения // 418821
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам изготовления солнечных элементов (СЭ)
Способ стабилизации чувствительности импульсного генератора и устройство для его реализации // 2119213
Изобретение относится к приборам, состоящим из нескольких полупроводниковых компонентов, чувствительных к различным видам фотонного излучения, от оптического до гамма-излучения, преобразующих энергию этих излучений в электрическую энергию
Изобретение относится к способу изготовления солнечного элемента, а также солнечному элементу, изготовленному этим способом
Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии изготовления полупроводниковых фотопреобразователей (ФП)
Способ изготовления полупроводникового фотопреобразователя из монокристаллического кремния // 2127471
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к технологии изготовления полупроводниковых фотопреобразователей (ФП)
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к технологии изготовления полупроводниковых фотопреобразователей (ФП)
Способ и устройство для изготовления фотогальванических приборов и фотогальванический прибор // 2129744
Изобретение относится к способу и устройству для изготовления фотогальванических (фотовольтаических) приборов, а также касается получающегося в результате изделия для преобразования света в электричество
Изобретение относится к гелиоэнергетике, в частности к солнечным фотоэлектрическим модулям с концентраторами солнечного излучения для получения тепла и электричества