Способ определения кристаллографической неоднородности полупроводниковых кристаллических образцов

 

1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОБРАЗЦОВ, основанный на возбуждении и регистрации стримерных разрядов в образце, отличающийся тем, что, с целью обеспечения определения кристаллографической неоднородности тонких (тоньше 0,1 мм) пластин сульфида кадмия, повышения экспрессности и достоверности, возбуждение стримерных разрядов в образце производят периодическими импульсами напряжения, имеющими амплитуду 2 - 5 кВ, отрицательной полярности с крутизной фронта импульса электрического поля не менее 10¹⁶ В/см с, перемещают точку приложения импульсов напряжения по поверхности образца, а о наличии кристаллографических неоднородностей судят по наличию стримеров, образующих углы 85 - 97^o с кристаллографической осью образца.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют импульсы напряжения, следующие с частотой 1 - 50 Гц. Изобретение относится к полупроводниковой технике может быть использовано для определения кристаллографической неоднородности тонких пластин сульфида кадмия. Цель изобретения обеспечение определения кристаллографической неоднородности тонких (тоньше 0,1 мм) пластин сульфида кадмия, повышение экспрессности и достоверности. П р и м е р 1. Определяют кристаллографическую неоднородность тонких кристаллических пластинок CdS. Образцы помещают в диэлектрическую жидкость. Стримерные разряды возбуждают импульсами напряжения 2 кВ, частотой 5 Гц, крутизной фронта импульса поля 10¹⁶ В/смс в нескольких участках образца путем перемещения электрода. Диэлектрическая жидкость этилацетат. На всех участках образца на фоне разрядов, образующих с осью углы 43^о и 47^о (типа 1), наблюдают разряды, образующие с осью углы 85^о и 97^о (типа 2). Ориентация образцов соответствует100} а сами образцы являются кристаллографически однородными. П р и м е р 2. Определяют кристаллографическую неоднородность тонких пластинок CdS. Стримерные разряды возбуждают импульсами напряжения 2,7 кВ, частотой 1 Гц, крутизной фронта импульса поля 1,310¹⁶ В/смс в нескольких участках образца путем перемещения электрода. Диэлектрическая жидкость трансформаторное масло. На всех участках пластины разряды типа 2 отсутствуют, что указывает кристаллографическую однородность образцов и их ориентацию в плоскости110} П р и м е р 3. Определяют кристаллографическую неоднородность пластинок CdS. Стримерные разряды возбуждают импульсами 5 кВ, частотой 10 Гц, крутизной фронта импульса поля 210¹⁶ В/смс в нескольких участках образца путем перемещения иглового электрода. Диэлектрическая жидкость этилацетат. На одних участках образца разряды типа 2 наблюдаются, на других отсутствуют. В первом случае участок соответствует плоскости100} во втором плоскости110} Образцы кристаллографически неоднородны. П р и м е р 4. Определяют кристаллографическую неоднородность тонких пластинок CdS. Разряды возбуждают импульсами напряжения 4 кВ, частотой 50 Гц, крутизной фронта импульса поля 1,810¹⁶ В/смс в нескольких участках образца путем перемещения электрода. Диэлектрическая жидкость четыреххлористой углерод. Стримеры не возникают или имеют разветвленную структуру. Поверхность всех этих образцов разориентирована относительно плоскости100} и 110} а образцы не являются кристаллографически однородными.

Формула изобретения

1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОБРАЗЦОВ, основанный на возбуждении и регистрации стримерных разрядов в образце, отличающийся тем, что, с целью обеспечения определения кристаллографической неоднородности тонких (тоньше 0,1 мм) пластин сульфида кадмия, повышения экспрессности и достоверности, возбуждение стримерных разрядов в образце производят периодическими импульсами напряжения, имеющими амплитуду 2 - 5 кВ, отрицательной полярности с крутизной фронта импульса электрического поля не менее 10¹⁶ В/см с, перемещают точку приложения импульсов напряжения по поверхности образца, а о наличии кристаллографических неоднородностей судят по наличию стримеров, образующих углы 85 - 97^o с кристаллографической осью образца. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют импульсы напряжения, следующие с частотой 1 - 50 Гц.