Формирователь импульсов для запоминающего устройства

 

Изобретение относится к области вычислительной техники и электроники и может быть использовано при построении устройств для считывания информации из накопителей запоминающих устройств и качестве элемента, осуществляющего предварительный заряд емкостей, образуемых шинами данных . Целью настоящего изобретения является повышение надежности формирователя импульсов, а также расширение области применения. Формирователь импульсов содержит МДП-транзисторы р и п-типа, причем истоки первого и второго транзисторов соединены с шинами соответственно питания и общей, а их стоки - с затворами третьего транзистора, включенного между затворами первого и второго транзисторов . Подложка третьего транзистора соединена с первьш управляющим входом , затвор первого - с вторым. Форс мирователь импульсов работает в двух режимах: в режиме начальной установ (Л ки и в режиме формирования импульса перезаряда. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

„„ЯО„, 1267481

Al (51) 4 G 11 С 7/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3825258/24-24 (22) 14.12.84 (46) 30.10.86. Бюл. № 40 (72) B.À.Èàêñèìoâ и Я.Я.Петричкович (53) 681.327.6 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

¹ 582528, кл. G 11 С 7/00, 1977.

Авторское свидетельство СССР

¹ 1123056, кл. G 11 С 7/00. (54) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ ДЛЯ

ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА (57) Изобретение относится к области вычислительной техники и электроники и может быть использовано при построении устройств для считывания информации из накопителей запоминающих устройств и качестве элемента, осуществляющего предварительный заряд емкостей, образуемых шинами данных. Целью настоящего изобретения является повышение надежности формирователя импульсов, а также расширение области применения. Формирователь импульсов содержит 1ЩП-транзисторы р и п-типа, причем истоки первого и второго транзисторов соединены с шинами соответственно питания и общей, а их стоки — с затворами третьего транзистора, включенного между затворами первого и второго транзисторов. Подложка третьего транзистора соединена с первым управляющим входом, затвор первого — с вторым. Формирователь импульсов работает в двух режимах: в режиме начальной установки и в режиме формирования импульса перезаряда. 1 з.н. ф-лы, 3 ил. С:

1267481

Изобретение относится к вычислительной технике и электронике и может быть использовано при построении устройств для считывания информации из накопителей запоминающих устройств в качестве элемента, осуществляющего предварительный заряд емкостей, образуемых шинами данных, Целью изобретения является повышение надежности формирователя импульсов, а также расширение области применения.

На фиг. 1 приведены схемы формирователей с фиксированной (а) и управляемой (б) амплитудой импульсов; на фиг. 2 — схема включения формирователя; на фиг. 3 — эпюры входных воздействий и выходной реакции формирователя импульсов.

Формирователь импульсов содержит первый 1 и второй 2, третий 3 МДП— транзисторы соответственно р- и итипа, причем, истоки первого i и второго 2 транзисторов соединены с шинами соответственно питание 4 и общая

5, а их стоки — с затвором третьего

3 транзистора, включенного между затворами первого 1 и второго 2 транзисторов. Подложка третьего 3 транзистора соединена с первым управляющим входом 6, затвор первого 1 транзистора — с вторым 7.

Формирователь импульсов работает в двух режимах: в режиме начальной установки и в режиме формирования импульса перезаряда.

В режиме начальной установки на втором управляющем входе 7 установлен уровень "О", открывающий пе.рвый

1 транзистор.

При этом второй транзистор 2 может находиться в зависимости от величины напряжения на его затворе как в открытом, так и в закрытом состоянии. Для нормального функционирования формирователя необходимо, чтобы при напря>кениях на затворах первого 1 и второго 2 транзисторов соответственно Ua„, = О В, UzÄ „ соотношение их проводи мостей обеспечивало формирование на затворе третьего 3 транзистора напряжения, превышающего пороговое напряжение третьего транзистора. Открывающийся в этом случае третий 3 транзистор обеспечивает разряд выходной емкости от U „ до О В, что приводит к эапиранию второго 2 транПо 1. Uex

U .> (1 ) Ь1 где U — напряжение на затворе тре15 тьего 3 транзистора;

U, $- пороговое напряжение, коэффициент влияния подложки третьего 3 транзистора;

U — напряжение на пергом ynPX1 равляющем входе 6.

Из выражения (1) следует, что вариация величины U z обеспечивает регулирование амплитуды входного

25 сигнала U., в диапазоне от О В

Uü U (при П до

1+ i 1+ «1 (при U „— О) .

30 Причем,при достижении амплитуды

U»» ïoðoãoâoão напряжения U, открывается второй 2 транзистор, обеспечивающий понижение напряжения Ц на затворе третьего 3 транзистора, тем самым запирая его.

Таким образом, момент окончания формирования амплитуды выходного сигнала характеризуется наличием запертого третьего 3 транзистора, в результате чего с укаэанного момента формирователь является пассивным элементом, не влияк>щим на процесс дальнейшего увеличения напряжения на выходной емкости, осуществляемый внешними элементами.

Функционирование формирователя импульсов с нефиксированным потенциалом подложки третьего 3 транзистора

50 (фиг. 1а) аналогично описанному. При этом параметры формируемых импульсов также определяются выражением (1) при условии что U = О. Откуда

Ьх1

ОЗ По

U3Hõ

1+ 7

Предлагаемое изобретение повышает надежность формирователя импульсов. зистора и прекращению протекания тока через него.

В режиме формирования импульса перезаряда на второй управляющий вход

7 подается импульс с амплитудой

U, достаточной для запирания

2 первого 1 транзистора. При этом через открытый третий 3 транзистор осуществляется заряд выходной емкости

10 до уровня, определяемого выражением

3 1267

Формула изобретения

1. Формирователь импульсов для запоминающего устройства, содержащий первый и второй транзисторы р-типа проводимости и третий транзистор птипа, причем исток первого транзистора подключен к шине питания, вто- . рого — к общей шине, а стоки — к затвору третьего транзистора, сток которого соединен с затвором второго транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения надежнос481 4 ти формирователя, исток третьего транзистора соединен с затвором первого транзистора и является первым управляющим входом формирователя.

2. Формирователь по п.1, о т л ич а ющ ии с я тем, что, с целью расширения области применения формирователя за счет возможности изменения амплитуды выходных импульсов, подложка третьего транзистора является вторым управляющим входом формирователя импульсов.

Фие. 2

12б 7481

Составитель В,Гордонова

Редактор Н.Слободяник Техред Н,Глущенко Корректор Л.Обручар

Заказ 5784/5 f Тираж 543 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

1 по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

-Производственно-полиграфическое предприятие, r.Óæãoðîä, ул.Проектная,4