Способ определения фактической площади контакта твердых тел
Изобретение относится к измерительной технике, а именно к способам определения характеристик контактного взаимодействия твердых телд в том числе при трении, при обработке металлов давлением и др. Целью изобретения является повьшение точности определения фактической площади контакта твердых тел. Цель достигается за счет использования в качестве вещества-индикатора, наносимого на одну из контактирующих поверхностей, фоторезиста, обладающего способностью при нанесении его на щероховатуиэ поверхность в виде тонкой пленки практически не искажать микрорельеф поверхности-подложки . При этом фактическая площадь контакта определяется по пЯощади про9 травившихся участков на поверхности с нанесенной пленкой фоторезиста (Л после контактного взаимодействия.
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИН дц 4 G 01 N 3/56
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ .
1ъ., qp у
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3870318/25-28 (2?) 02.01.85 (46) 07,10,86, Бюл. Р 37 (71) Днепропетровский ордена Трудового Красного Знамени металлургический институт им. Д.Ф. Устинова (72) А.П.Грудев, А.Д.Размахнин и А,З.Коркач (53) 621.778.08(088.8) (56) Справочник: Трение, изнашива:ние и смазка, — М.: Машиностроение, 1978, т. 1, с. 40-41, (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ФАКТИЧЕСКОЙ
ПЛОЩАДИ КОНТАКТА ТВЕРДЫХ ТЕЛ (57) Изобретение относится к измерительной технике, а именно к способам определения характеристик контактного взаимодействия твердых тел, „„SU„„1262342 А1 в том числе при трении, при обработке металлов давлением и др. Целью изобретения является повышение точности определения фактической площади контакта твердых тел, Цель
1 достигается за счет использования в качестве вещества-индикатора, наносимого на одну из контактирующих поверхностей, фотореэиста, обладающего способностью при нанесении его на шероховатую поверхность в виде тонкой пленки практически не искажать микрорельеф поверхности-подложки. При этом фактическая площадь контакта определяется по пЛощади протравившихся участков на поверхности с нанесенной пленкой фотореэиста после контактного взаимодействия.
} 262342
Составитель З,Игнатьева
Редактор А,1}}ишкина Техред В.Кацар Корректор Е. Сирохман
Заказ 5418/39 Тираж 778 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, _#_-35,, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная,4
Изобретение относится к измерительной технике, а именно к способам определения характеристик кон.- тактного взаимодействия твердых тел, в том числе при трении, при обработке металлов давлением и др.
Цель изобретения — повышение точности определения фактической площади контакта твердых тел при исполь- }О зовании тонкой пленки вещества-индикатора, нанесенного на одну из контактирующих поверхностей.
Способ осуществляют следующим образом °
На контактную поверхность образца наносят тонкий слой фоторезиста, например, центрифугированием, высушивают его, затем образец приводят в соприкосновение с поверхностью контробразца под заданной сжимающей нагрузкой, после чего контактную пару разгружают, поверхность образца с пленкой фоторезиста подвергают трав25 ленни и по площади протравившихся участков судят о фактической площади контакта исследуемых образцов.
При контактном взаимодействии поверхностей пленка фоторезиста подвергается деформации и разрушению в местах фактического контакта, что приводит к разрушению адгезионных связей пленки фоторезиста с поверхностью, на которую она была нанесена.
Вследствие этого травление поверхности образца после контактного взаимодействия выявляет границы площади фактического контакта. ормула иэобре тения
Способ определения фактической площади контакта твердых тел, заключающийся в том, что на одну из поверхностей контакта наносят тонкую пленку вещества †индикато, приводят поверхности в соприкосновение под нагрузкой, а о величине фактической площади контакта судят о изменению пленки после. контактного взаимодействия, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения, в качестве материала пленки используют фоторезист, который подвергают травлению после контактного взаимодействия,

