Способ формирования магнитного поля смещения в запоминающем устройстве на цилиндрических магнитных доменах

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминанмцих устройств (ЗУ) на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является повьшение точности формирования магнитного поля смещения в ЗУ на ЦМД. В соответствии с предлагаемым способом постоянные магниты, входящие в состав запоминающего модуля ЦМД ЗУ, намагничивают, до насыщения внешним магнитным полем и затем снижают намагниченность, причем понижение намагниченности осуществляют локальным отжигом участков постоянных магнитов при температуре среды, на 20-30 С меньшей температуры Кюри, путем.разогрева отдельных участков постоянных магнитов до температуры , на 10-20 с превьппающей температуру Кюри. Суммарную площадь участков определяют по формуле S (f-Se)/h()/Ho, где So - площадь постоянных магнитов; f - толщина постоянных магнитовi h - глубина отЛсига , И о - напряженность магнитного поля, создаваемого постоянными магнитами, намагниченными до насыщения Н - величина напряженности магнитного поля смещения. Локальный отжиг указанных участков производят на глубину 0,05-0,5 толщины постоянных магнитов в течение времени et (h/l) i, где - время типовой диффузии . 1 з.п. ф-лы. i (/ С СП 00

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

„„SU„„12495 (51)4 G 11 С 11/14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3779310/24-24 (22) 13,08.84 (46) 07,08.86. Бюл. Р 29 (71) Донецкий государственный университет (72) В.А.Заблоцкий и И.А.Мельничук (53) 681.327.66(088.8) (56) Эшенфельдер А. Физика и техника ЦМД. - М.: Мир, 1983, с. 372, Заявка ФРГ N 2448667, кл. G 11 С 11/14, опублик. 1976. (54) СПОСОБ .ФОРМИРОВАНИЯ МАГНИТНОГО

ПОЛЯ СМЕЩЕНИЯ В ЗАПОМИНАЮЩЕМ УСТРОЙСТВЕ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств (ЗУ) на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД}. Целью изобретения является повышение точности формирования магнитного поля смещения в ЗУ на ЦМД. В соответствии с предлагаемым способом постоянные магниты, входящие в состав запоминающего модуля ЦМД ЗУ, намагничивают, до насыщения внешним магнитным полем н затем снижают намагниченность, причем понижение намагниченности осуществляют локальным отжигом участков постоянных магнитов при температуре среды, на 20-30 С меньшей температуры

Кюри, путем разогрева отдельных участков постоянных магнитов до температуры, на 10-20 С превышающей температуру Кюри. Суммарную площадь участков определяют по формуле S=

=(f-S,) /h ((Н,-Н) /Н,j, где S — площадь постоянных магнитов, f - eosrnprна постоянных магнитов, h — глубина отжига, Н о — напряженность магнитного поля, создаваемого постоянныки магнитами, намагниченными до насыщения1 Н вЂ” величина напряженности магнитного поля смещения. Локальный отжиг указанных участков производят на глубину 0,05-0,5 толщины постоянных магнитов в течение времени gt

=(h/l) б, где — время типовой диффузии. 1 з.п. ф-лы.

1249586

f s, н.-н о (о

?1 Н о

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств (ЗУ) на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Целью изобретения является повышение точности формирования магнитного поля смещения в ЗУ на ЦМД.

В соответствии с предложенным способом постоянные магниты, входящие в состав запоминающего модуля

1ЩД ЗУ, намагничивают до насыщения внешним магнитным полем и затем снижают намагниченность, причем понижение намагниченности осуществляют локальным отжигом участков постоянных магнитов при температуре среды, а на 20-30 С меньшей температуры Кюри путем разогрева отдельных участков постоянных магнитов до температуры» о на 10-20 С превышающей температуру

Кюри. Суммарную площадь участков определяют по формуле где So — площадь постоянных магнитов; толщина постоянных магнитов, h — глубина отжига;

Н вЂ” напряженность магнитного и поля, создаваемого постоянными, намагниченными до насыщения;

Н вЂ” величина напряженности магнитного поля смещения.

Локальный отжиг указанных участков производят на глубину 0,05-0,5 толщины постоянных магнитов в течение времени д =(— ) I где ь — вре л ч

У мя тепловой диффузии.

Поскольку напряженность магнитного поля в системе определяется намагниченностью постоянных магнитов и геометрией системы, то при локальном отжиге изменение напряженности поля является следствием уменьшения средней намагниченности единицы объема постоянных магнитов. При этом относительное изменение напряженности поля в системе пропорционально суммарной площади отложенных участков.

Понижение намагниченности постоянных магнитов, намагниченных до насышения путем локального отжига, пот зволяет плавно регулировать напряжен5

t0

t5

45 ность магнитного .поля в запоминающем модуле без снижения временной стабильности магнитов по отношению к процессам старения, Пример. В соответствии с предлагаемым способом проводят формирование поля смещения н запоминающем модуле на ЦМД в системе, содержащей дна одинаковых постоянных магнита, изготовленных из бариевого феррита размером 22 22 мм и толщиной

0,5 мм, растекатели и магнитный экран, Температура Кюри для данного состава магнитов 420 С. Намагниченные до насьпцения но внешнем поле 19,5 кЭ постоянные магниты создают поле в системе напряженностью 167 Э, Площадь области однородности составляет

85 мм . При этом относительная неод2 нородность поля д Н/H=15, где Н— напряженность магнитного поля в центре системы, а дН вЂ” разность напряженностей в центре и на краях.

Понижение намагниченности постоянных магнитон производят с помощью лазерного луча, сфокусированного в пятно диаметром 0,5 мм и мощностью

Р=8 Вт. Способ выбора участков, подвергаемых локальному отжигу, определяют в соответствии с картиной распределения поля в системе. Так как напряженность поля в центре на 1015 . больше, чем на краях, то локальному отжигу подвергают участки центральной области постоянных магнитов.

Отжигаемые участки имеют вид полос, что достигается сканированием лазерного луча, ширина полос и расстоя-ние между ними соответстненно 0,5 мм и 1,5 мм, общее число полос 20. Суммарная площадь облученных участкон составляет 220 мм . При этом най пряженность поля в системе понижается до требуемого значения (90 Э), а плошадь области однородности увеличивается до 120 мм, т.е. на 40 .

Формула изобретения

1, Способ формирования магнитного поля смещения в запоминающем устройстве на цилиндрических магнитных доменах, основанный на намагничивании постоянных магнитов до насьпцения внешним магнитным полем и последующем понижении намагниченности постоянных магнитов, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повьппения точ1249586 мени

8 So Нд-Н о ь но

h л где — время тепловой диффузии.

Г

Составитель Ю.Розенталь

Ю

Редактор И.Дербак Техред О.Гортвай Корректор М. Самборская

Тираж 543 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

1)3035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 4333/53

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ности формирования магнитного поля смещения, понижение намагниченности осуществляют локальным отжигом участков постоянных магнитов при темперао туре среды, на 20-30 С меньшей темпе- Б ратуры Кюри, путем разогрева отдельных участков постоянных магнитов до температуры, на 10-20 С превышающей температуру Кюри, причем суммарную площадь участков определяют по формуле где S — площадь постоянных магнитов; 5 — толщина постоянных магнитов;

h — глубина отжига;

Н вЂ” напряженность магнитного поо ля, создаваемого постоянными магнитами, намагниченными до насыщения;

Н вЂ” величина 1 напряженности маг" нитного поля смещения.

2. Способ по п. 1, о т л и ч аю шийся тем, что локальный отжиг производят на глубину 0,05-0,5 толщины постоянных магнитов в течение вре"