Устройство для подготовки образца из легкоплавкого материала для рентгеноструктурных исследований

 

Устройство представляет собой кювету, в которой приготавливается и затем исследуется образец. За счет выполнения верхней крьшки кюветы с выступом, направленным внутрь, расплав , заливаемый в кювету, может быть при кристаллизации сформирован в слой сколь угодно малой толщины,что дает большие преимущества при рентгенотопографических исследованиях по методу Лэнга. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

„„SU„„1242 (g!! 4 G 01 N 23/20

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

13 „ 13

ШЛ КОХА

К А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОДГОТОВКИ ОБРАЗЦА ИЗ ЛЕГКОПЛАВКОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ

РЕНТГЕНОСТРУКТУРН! !Х ИССЛЕДОВАНИЙ (57) Устройство представляет собой кювету, в которой приготавливается и затем исследуется образец. За счет выполнения верхней крышки кюветы с выступом, направленным внутрь, расплав, заливаемый в кювету, может быть при кристаллизации сформирован в слой сколь угодно малой толщины,что дает большие преимущества при рентгенотопографических исследованиях по методу Лэнга. 1 ил, r (21) 3838228/24-25 (22) 02.01.85 (46) 07.07 .86. Бюп. Ф 25 (71) Центральный ордена Трудового

Красного Знамени научно-исследовательский институт черной металлургии им. И.П.Бардина (72) Н.А.Горбачева, В.В.Минин, О.В.Утенкова и Г.В,Щербединский (53) 548.73 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

У 408191, кл. G О1 N 23/20, 1971.

Авторское свидетельство СССР !! 706754р кл. G. 01 N 21/03, 1978.

Авторское свидетельство СССР

У 1073648, кл. G 01 N 23/20, 1983, Щ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

1242784

5 !

3S

Изоб>ретение относится к рентгенос.труктурному анализу материалов и может быть использовано при исследовя HHH структу1>ных жидких KpH(. . Tñ1ëëΠпроцессов кристаллизации и дефектов реальной структуры монокристаллов как в области малых, так и больших углов.

Цель изобретения — расширение возможностей исследования за счет полу— чения более тонких образцов.

Иа чертеже показано устройство для подготовки образца из легкоплавкого материала для рентгеноструктурных исследований легкоплавких материалов в процессе ее заполнения.

Устрс>йство содержит П-образную рамку 1,на которую наложена жесткая крьпака 2 из рентгенопрозрачного материала с выступом 3, направленным внутрь рамки 1, и отверстие 4 ме>кцу выступом 3 и стенкой рамки 1,противоположной ее открытому концу. Снизу рамка 1 закрыта крышкой 5 из рентгенопрозрачногo материала, При заполнении устройство своей крышкой 5 устанавливается на поверхность термостата 6, в отверстие 4 в ее крышке 2 вставляется шприц 7, посредством которогo заливается расплав 8 исследуемого материала, кристаллизацию которого вызывают посредством затравки 9, подводимой с открытой стороны рамки 1.

Выступ 3 имеет высоту, меньшую высоты рамки 1, Он может занимать часть ширины рамки 1 или проходить по всей ее ширине.

Примером использования устройства. может служить его применение при исследовании дислокаций, образуюшихся при кристаллизапии и пластической деформации монокристаллов галлия, имеющего низкую точку плавления о (29,8 С) и низкие прочностные и упругие свойства (предел текучести около l0 -/»м2 и модуль упругости 0,7 >

«10 дн/см ) .

Для изготовления монокристаллов на нлоскую поверхность водяного т ермостата б устанавливают нижнюю крышку 5, выполненную из тонкой (0,02О;05 мм) фторопластовой ленты, на нее помещают II-образную рамку 1 из

30 оргстекла толщиной 1 мм, к которой предварительно приклеивают верхнюю крышку 2, выполненную из оргстекла толщиной 0,5 мм„ С помощью шприца 7 в отверстие 4 заливают расплав 8 галлия. При заполнении полости, образованной крышками 2 и 5, прямоугольным выступом 3 и стенками рамки 1, часть расплава 8 выдавливается наружу через открытую сторону рамки 1. После понижения температуры ниже точки плавления к выдавленной части расплана подносят затравку 9 для осуществления кристаллизации. Выращенный таким образом монокристалл имеет под выступом 3 верхней крьппки 2 такую толщину, которая позволяет проводить рентгенотопографическую съемку мето- цом Лэнга (нри р 1). После отплавления затравки устройство с заключенным в нее монокристаллом галлия помещают вначале в камеру PKCO для снятия эпиграммы, с целью определения ориентировки полученного монокристалла. За— тем устройство с монокристаллом устанавливают в ренгенотопографическую камеру Лэнга (типа КРС) и производят съемку топограммы, которая позволяет устанавливать типы дислокаций и их распределение в монокристалле. Также возможно:исследование процесса кристаллизации без нарушения субструктуры образца, формула и з о б р е т е н и я

Устройство для подготовки образца из легкоплавкого материала для рентгеноструктурных исследований, содержащее открытую с одной стороны рамку я две крьппки из рентгенопрозрачного материала, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью расширения возможностей исследования за счет полу гения более тонких образцов, верхняя крышка выполнена жесткой и снаб— жена выступом, направленным внутрь оамки и имеющим высоту, меньшую высоты рамки, причем в верхней крьппке между стенкой рамки, противоположной зе открытой стороне H выступом выполнено отверстие для заполнения устройства исследуемым материалом, 1242784

Составитель К, Кононов

Техред О.Гортвай Корректор А. Обручар

Редактор Н.Рогулич

Заказ 3694/39 .Тираж 778 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г,Ужгород, ул. Проектная, 4

Устройство для подготовки образца из легкоплавкого материала для рентгеноструктурных исследований Устройство для подготовки образца из легкоплавкого материала для рентгеноструктурных исследований Устройство для подготовки образца из легкоплавкого материала для рентгеноструктурных исследований 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к методам исследования поверхности твердых тел с помощью электронных пучков и может быть использовано для проведения количественных измерений элементного состава поверхности методами ожеспектроскопии , рентгеновского микроанализа , фотоэлектронной спектроскопии

Изобретение относится к рентгеновскому приборостроению, а точнее к устройствам контроля кристаллографических параметров монокристаллов, используемых в электротехнической и химической промышленности

Изобретение относится к рентгеновской спектроскопии и может быть использовано для исследования тонкой структуры рентгеновских спектральных линий

Изобретение относится к аппаратуре для анализа тонких монокристаллических слоев методом возбуждения вторичной эмиссии исследуемого слоя в условиях дифракции рентгеновского излучения

Изобретение относится к Области исследования реальной структуры монокристаллов методом рентгеновской типографии

Изобретение относится к методам расшифровки структуры кристаллов

Изобретение относится к области рентг-еноструктурного анализа материалов при высоких и низких температурах

Изобретение относится к области медицины, а именно к гемостазиологическим аспектам акушерства и гинекологии, и может быть использовано врачами других специальностей

Изобретение относится к области ядерной энергетики для космических аппаратов и, в частности, к теневым радиационным защитам (РЗ), выполненным из гидрида лития, и касается технологии изготовления в части проведения контроля их геометрии, определяющей контур теневой защищаемой зоны, создаваемой защитой на космическом аппарате

Изобретение относится к технике рентгеноструктурного анализа и касается методов настройки и юстировки гониометрических устройств рентгеновских дифрактометров типа "ДРОН"

Изобретение относится к технологии анализа биологических материалов, а именно к способам определения фракционного состава (ФС) липопротеинов (ЛП) в плазме крови методом малоуглового рентгеновского рассеяния (МУРР) для последующей диагностики состояния организма человека

Изобретение относится к устройствам для рентгеновской типографии и может быть использовано для определения структуры сложного неоднородного объекта и идентификации веществ, его составляющих

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и предназначено для оценки качества деталей при их изготовлении и ремонте, а конкретно - дефектоскопии с использованием радиоактивных источников ионизирующего излучения и коллимированных блоков детекторов
Наверх