Способ создания радиационно-стойких моп-структур

Авторы патента:

Румак Н.В.

Малышев В.С.

Хатько В.В.

Плотников В.Н.

Ясников В.К.

Алиев А.М.

Яковлев О.Ю.

H01L21/82 - для получения приборов, например интегральных схем, каждый из которых состоит из нескольких компонентов

Способ создания радиационно-стойких МОП-структур, включающий формирование подзатворного диэлектрика на пластинах кремния, полевого электрода и отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения радиационной стойкости структур, отжиг проводят в атмосфере аргона после формирования подзатворного диэлектрика в одном из диапазонов температур 590-630°С, 680-720°С, 840-880°С в течение 3-120 мин.

Способ изготовления интегральных схем // 1195862

Поликремниевый резистор и способ его изготовления // 1144570

Изобретение относится к электронной гехнике, к конструкциям и способам изготовления поликремниевых резисторов, допускающих возможность прецизионной токовой подстройки сопротивления, и может быть использовано в технологии изготовления аналоговых ИС с регулируемыми характеристиками

Способ изготовления интегральных структур // 1077512

Способ изготовления взаимодополняющих мдп-приборов // 1023969

Способ изготовления резисторов интегральных схем // 1003695

Способ изготовления инжекционных интегральных схем // 986236

Способ изготовления интегральных схем // 952051

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к производству полупроводниковых интегральных схем (ИС)

Способ изготовления мдп-интегральных схем // 928953

Способ изготовления интегральных полупроводниковых схем // 912065

Способ изготовления интегральных схем на моп-транзисторах // 2100873

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Способ изготовления мдп ис // 2105382

Способ изготовления моноп-ячейки памяти, ячейка памяти и матричный накопитель на ее основе // 2105383

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания ЭРПЗУ с повышенной информационной плотностью на основе МОНОП-транзисторов, в частности, перепрограммируемых инжекцией горячих носителей заряда

Способ изготовления бикмоп структур // 2106039

Бикмоп-прибор и способ его изготовления // 2106719

Прецизионный интегральный поликремниевый резистор и способ его изготовления // 2110871

Изобретение относится к конструированию прецизионных интегральных поликремниевых резисторов и может быть использовано в аналоговых и аналого-цифровых интегральных схемах (ИС)

Способ изготовления кмоп ис базовых матричных кристаллов (бмк) // 2124252

Изобретение относится к микроэлектронике, более конкретно к способам изготовления КМОП интегральных схем (ИС) базовых матричных кристаллов (БМК) с самосовмещенным поликремниевым затвором и поликремниевой или полицидной разводкой первого уровня и может быть использовано как в цифровых, так и в аналоговых и аналого-цифровых интегральных схемах с низкой себестоимостью изготовления

Способ изготовления бикмоп прибора // 2141148

Изобретение относится к способу изготовления этого прибора, а именно к технологии изготовления вертикальных NPN и PNP биполярных транзисторов и комплементарных полевых транзисторов на общей подложке

Способ изготовления бикмоп структуры // 2141149

Изобретение относится к способу изготовления этих приборов, а именно к технологии изготовления полевых транзисторов и вертикальных NPN биполярных транзисторов на общей подложке

Полупроводниковое запоминающее устройство с высокой степенью интеграции и способ изготовления полупроводникового запоминающего устройства // 2153210

Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству с выполненной в виде колонны ячейкой стираемой программируемой постоянной памяти с плавающим затвором и управляющим затвором и к способу для его изготовления