Генератор импульсов с милливольтным напряжением питания

 

Изобретение может быть использовано , например, в телеметрии. Цель изобретения - получение парафазных выходных импульсов. Устройство содержит транзисторы 1 и 2, трансформатор 3 с обмотками 4, 5 и 6, резистор 7, шину 8 питания, общую шину 9. Выходные парафазные импульсы снимаются с нагрузок в коллекторной и змиттерной цепях транзистора 1 через разделительные конденсаторы 10 и 11. Достижение поставленной цели способствует введение обмотки 6 и включение ее между змиттером и коллектором транзисторов 1 и 2 соответственно. 1 ил. W С 00 ьэ ю 143

Ц

РЕСПУБЛИК

«ю «»

202 A 2 сю 4 Н 03 К 3/02

ГОСУДАРСТОЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ГЮ ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМЪГ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) 1167703 (21) 3639971/18-21. (22) 29.08.83 (46) 15 ° 06.86. Бюл. И 22 (71) Физико-технический институт низких температур АН УССР (72) Е.П, Иаксимчук (53) 621.373(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

«з 1167703, кл. Н .03 К 3/02, 1980. (54) ГЕНЕРАТОР ИМПУЛЬСОВ С.ИИЛЛИВОЛЬТНЫИ НАПРЯЖЕНИЕМ ПИТАНИЯ (57) Изобретение может быть использовано, например, в телеметрии. Цель изобретения — получение парафазных выходных импульсов. Устройство содержит транзисторы 1 и 2, трансформатор 3 с обмотками 4, 5 и 6, резистор 7, шину 8 питания, общую шину 9.

Выходные парафазные импульсы снимаются с нагрузок в коллекторной и. эмиттерной цепях транзистора 1 через разделительные конденсаторы 10 и 11.

Достижению поставленной цели способствует введение обмотки 6 и включение ее между эмиттером и коллектором транзисторов 1 и 2 соответственно.

1 ил.

1 123820

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано, например, в телеметрии.

Целью изобретения является получение парафазных выходных импульсов.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема устройства.

Генератор импульсов содержит основной и дополнительный транзисторы

1 и 2, трансформатор 3 с обмотками 1п

4, 5 и 6, резистор 7 через который база транзистора 2;подключена к шине

8 питания. Обмотка 4- включена между коллектором транэйсторв 1 и шиной 8 началом к коллектору транзистора 1.

Базовая обмотка 5 включена между шиной 8 и базой транзистора 1 началом к шине 8. Третья обмотка 6 включена между шиной 8 и базой транзистора 1 и коллектором транзистора 2 согласно с обмоткой 4, т.е. концом к эмиттеру транзистора 1, а началом к коллектору транзистора 2, эмиттер которого соединен с общей .шиной 9.

Выходные,парафазные импульсы 2$ снимаются с ангрузок в коллекторной и эмиттерной цепях транзистора 1 че

pcs-разделительные конденсаторы 10 и 11.

Генератор работает следующим об- З© разом.

2 3 мирование фронтов парафазных импульсов. В течение некоторого отрезка времени (примерно 40-50 мкс), определяемого временем заряда межвитковых емкостей обмоток трансформатора 3 и емкостей переходов транзисторов 1 и

2, напряжение на коллекторе и эмиттере транзисторов 1 незначительно изменяется - происходит формирование вершин импульсов. Наряду с этим,учитывая, что обмотка 6 трансформатора

3 включена противофазно обмотке 5, сформированный на ней перепад напря-. жения передается на базу транзистора

1 в отрицательной полярности и. вызывает его быстрое закрывание, в результате чего напряжение на коллекторе транзистора 1 — в отрицательной полярности и вызывает его быстрое закрывание, в итоге напряжение на коллекторе транзистора 1 возрастает, а на эмиттере убывает, т.е. происходит формирование спадов импульсов.

Время, в течение которого транзистор

1 закрыт, определяется разрядом ем-: костей обмоток 4 и 5 трансформатора

3 и переходов транзистора 1, а затем транзистор 1 снова начинает открыватьсяи процессы в схеме повторяются.

Время разряда вышеуказанных емкостей определяет период повторения генеируемых импульсов.. В результате на агруэках, включенных в цепи коллекора и эмиттера транзистора 1, формиуются парафазные (равные по амплиуде и сдвинутые по фазе на 180 ) мпульсы. р

Нагрузкой в цепи коллектора транзис- н тора 1 является обмотка 4,а нагрузкой в т цепи эмиттера транзистора 1 являются р обмотка 6 и последовательно с ней соеди- З т венное сопротивление. участка коллек- и тор-эмиттер транзистора 2. При включении питающего напряжения возникающий в цепи коллектора транзистора 1 ток, протекая по обмотке 4, участку коллектор-эмиттер транзистора 1, обмотка 6 и далее — через участок коллектор"эмиттер транзистора 2, создают на указанных обмотках (эа счет переменной составляющей тока) падение напряжения, в результате чего напряжение на коллекторе транзистора 1 резко уменьшается, à íà его эмиттере возрастает — происходит форСоставитель М.

Редактор Л. Повхан Техред М.Ходан

Формула изобретения

Генератор импульсов с милливольтным напряжением питания по авт.св.

N 1167703, о т л и ч. а ю шийся. тем, что, с целью получения парафаз- . ных выходных импульсов, трансформатор снабжен третьей обмоткой, которая включена между эмиттером основного и коллектором дополнительного транзисторов, согласно с коллекторной обмоткой основного транзистора.

Щедрин ич Корректор С. Черни

Заказ 3302/56 Тираж 816 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб.,д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород. ул. Проектная, 4