Зондовая головка

Авторы патента:

H01L21/66 - испытания или измерения в процессе изготовления или обработки (после изготовления G01R 31/26)

Изобретение может быть использовано для измерения электрофизических свойств полупроводниковых материалов . Цель изобретения - повышение точности измерения. Зонды расположены в V-образных пазах кремниевой пластины с изоляцией. Пружины, изолированные прокладками, прижимают зонды к стенкам пазов. Токосъемные втулки зондов прижаты к электрической прокладке . Выполнение V-образных пазов в кремниевой пластине с ориентацией поверхности по плоскости (100) и схождением боковых стенок под углом 55 обеспечивает расположение фаз зондов относительно друг друга с большой точностью и перемещение из{ (Вверх - вниз в одной плоскости. 2 ил. ND 1ЧЭ 4 ОО СЛ 00

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ÄÄSUÄÄ 1224858

А (51) 4 Н 01 Ь 21/66

ВСЕсО®

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ г

Ьь

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

Н ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3?73284/24-21 (22) 20.07.84 (46) 15.04.86. Бюл. 9 14 (72) В.А.Марасанов, А.Р.Манкулов и В.В.Карабанов (53) 621.382(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

Ф 393732, кл. G 01 P 3/26, 1972.

Авторское свидетельство СССР

М 387303, кл. G 01 R 27/02, 1973. (54) ЗОНДОВАЯ Г0ЛОВКА (57) Изобретение может быть использовано для измерения электрофизических свойств полупроводниковых материалов. Цель изобретения вЂ” повышение точности измерения. Зонды расположены ! в V -образных пазах кремниевой пластины с изоляцией. Пружины, изолированные прокладками, прижимают зонды

У ..к стенкам пазов. Токосъемные втулки зондов прижаты к электрической прокладке. Выполнение V -образных пазов в кремниевой пластине с ориентацией поверхности по плоскости {100) и схождением боковых стенок под углом 55 обеспечивает расположение Фаз зондов относительно друг друга с большой точностью и перемещение их вверх вЂ” вниз в одной плоскости. 2 ил.

1224858

Изобретение относится к области измерения электрофиэических свойств полупроводниковых материалов, а именно к устройствам для измерения удельного сопротивления полупроводниковых пластин.

Цель изобретния вЂ” повышение точности измерения.

На фиг. 1 изображена эондовая головка, профильный разрез; на фиг. 2 то же, поперечный разрез.

Зондовая головка имеет токовые и потенциальные зонды 1, которые расположены в -образных пазах 2 кремниевой пластины 3 с ориентацией (100).

Зонды 1 изолированы от пластины 3 слоем диэлектрика 4, а пластина закреплена в корпусе 5 перпендикулярно его основанию 6. Зонды 1 прижаты к стенкам пазов 2 пружиной 7, изолированной от зондов диэлектрическими прокладками 8. На зонды насажены токосъемные втулки, упирающиеся в диэлектрическую прокладку 10.

Зондовая голбвка работает следуювЂ” щим образом., При опускании зондовой головки на полупроводниковую пластину зонды 1 за счет эластичной прокладки 10 прижимаются к пластине. С помощью токосъемных втулок 9 через определенные токовые зонды 1 пропускают электрический ток, а на других потенциальных зондах измеряют разность потенциалов.

IIo результатам этих измерений определяют удельное сопротивление полупроводниковой пластины. Точность определения удельного сопротивления в значительной степени определяется точностью заданного взаимного расположения зондов, которая определяется геометрическими размерами пазов и

tO расстояниями между ними.

Выполнение It -образных пазов в кремниевой пластине с ориентацией поверхности по плоскости (100) и схождением боковых стенок пазов под о

15 углом 55 обеспечивает расположение зондов относительно друг друга с большой точностью и перемещение вверх - вниз в одной плоскости.

Фо рм ул а и зо бр ет ен ия

Зондовая головка, преимущественно для измерения злектрофизических свойств полупроводниковых материалов, содержащая корпус с основанием и раз25 мещенные в нем перпендикулярно основанию токовые и потенциальные зонды, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности измерения, она снабжена размещенной перпендикулярно основанию кремниевой пластиной с ориентацией (100), в которой выполнены -образные пазы, с размещенными в них токовыми и потенциальными зондами.

1224858 фиа 2

Составитель В. Макеячкин

Редактор .О. Колесникова Техред И.Попович Корректор Г, Решетняк

Заказ 1956/51 Тираж 643

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

11Э035, Москва Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Производственно"полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к технологии полупроводникового производства и может быть использовано для определения глубины трещиноватого слоя на монокристаллах полупроводниковых материалов, преимущественно кремния, германия, арсенида галлия, после грубой механической обработки (резки, шлифовки)

Устройство для измерения параметров полупроводниковых структур // 1222145

Способ измерения скорости поверхностной генерации- рекомбинации // 1213510

Устройство для измерения времени рассеяния мощности транзисторов // 1204039

Способ измерения толщины слоев в процессе их осаждения // 1202461

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля толщины слоев при изготовлении полупроводниковых приборов

Способ измерения глубины залегания n-p-переходов в кремнии // 1202460

Способ определения характеристик электронных состояний на границе раздела полупроводник-диэлектрик // 1199153

Устройство для исследования процессов релаксации емкости полупроводниковых диодов // 1196784

Способ определения параметров полупроводников // 1195856

Устройство для подключения мощных диодов // 1195307

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано в процессе производительного контроля мощных полупроводниковых приборов

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Устройство для измерения толщины плоского изделия и способ его реализации // 2107257

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Способ градуировки резонансного датчика параметров эпитаксиального слоя на проводящей подложке // 2107356

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния // 2110116

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Способ регулирования величины напряжения в открытом состоянии тиристоров и диодов // 2119211

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов

Способ контроля однородности слоев пористого кремния на монокристаллическом кремнии // 2119694

Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния // 2120683

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Способ контроля дефектности пленок диоксида кремния на кремниевых подложках // 2127927

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349