Способ кососимметричных съемок в рентгеновской трансмиссионный топографии

 

Изобретение относится к исследованию кристаллов с помощью дифракции рентгеновских лучей и может быть использовано при изучении дефектов кристаллического строения реальных кристаллов. Исследуемый кристалл известной ориентации устанавливают в держатель образца, устанавливают нормаль к отражающей плоскости параллельно экваториальной плоскости гониометра при выводе кристалла в кососимметричное брэгговское положение. Облучают входную поверхность кристалла монохроматизированным рентгеновским излучением источника со штриховым фокусом, поляризованным так, что вектор электрической индукции перпендикулярен экваториальной плоскости гониометра. Выведение нормали к отражающей плоскости, а следовательно, и дифрагированного луча в экваториальную плоскость гониометра позволяет регистрировать кососимметричные дифракционные картины прямого и дифрагированного пучков , содержащих взаимодополияю1цую информацию о дефектах как толстых, так и слабопоглощающих, и тонких кристаллов, что расширяет класс исследуемых кристаллов, .1 ил. (Л с с

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (191 (11)

- 1511 4 G 01 N 23/20

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21 ) 3748298/24-25 (22) 05.06.84 (46) 07.04.86. Бюл. 11- - 13 (71) Институт металлофизики АНУССР (72) Л.В.Тихонов, Г.В.Харькова, А.А.Белоцкая и Н.Н.Охрименко (53) 548.734.5(088.8) (56) Белоцкая А.А., Тихонов Л.В.

Харькова Г.В. Дифракцнонные эффекты и метрика рефлексов при кососимметричных съемках в трансмиссионной рентгеновской топографии. — Металлофизика, 1983, N 5, вып. 2, с. 8794.

Авторское свидетельство СССР

9 1151873, кл. С О1 И 23/20, 1983. (54) СПОСОБ КОСОСИММЕТРИЧНЫХ СЪЕМОК

В РЕНТГЕНОВСКОЙ ТРАНСМИССИОННОЙ ТОПОГРАФИИ (57) Изобретение относится к исследованию кристаллов с помощью дифракции рентгеновских лучей и может быть использовано при изучении дефектов кристаллического строения реальных кристаллов. Исследуемый кристалл известной ориентации устанавливают в держатель образца, устанавливают нормаль к отражающей плоскости параллельно экваториальной плоскости гониометра при выводе кристалла в кососимметричное брэгговское положение. Облучают входную поверхность кристалла монохроматиэированным рентгеновским излучением источника со штриховым фокусом, поляризованнык так, что вектор электрической индукции перпендикулярен экваториальной плоскости гониометра. Выведение нормали к отражающей плоскости, а следовательно, и дифрагированного луча в экваториальную плоскость гониометра позволяет регистрировать кососимметричные дифракционные картины прямого и дифрагированного пучков, содержащих взаимодополняющую информацию о дефектах как толстых, так и слабопоглощающих, и тонких кристаллов, что расширяет класс исследуемых кристаллов..1 ил.

1223104

t5

Изобретение относится к исследованию кристаллов с помощью дифракции рентгеновских лучей и может быть использовано в рентгеновской трансмиссионной топографии при изучении дефектов кристаллического строения реальных кристаллов.

Цель изобретения — расширение класса исследуемых кристаллов.

На-чертеже изображена стереографическая проекция кристалла.

Способ осуществляют на гониометре с вертикальной осью и ориентацией штриха фокуса f трубки БСВ-11 Си параллельно экваториальной плоскости гониометра. Исследуемую плоскопараллельную пластину монокристалла кремния с плоскостью поверхности (Ш) устанавливают в держателе на оси гониометра. Для осуществления кососимметричной съемки при отражении от системы плоскостей .(202) так, что плоскость дифракции (плоскость, содержащая прямой В и дифрагированный В „ лучи) составляет с нормалью о к поверхности кристалла угол =30 производят предварительную ориентировку кристалла, при которой нормаль его поверхности N (III) и нормаль отражающей плоскости и устанав-.. ливают в плоскость, содержащую ось гониометра и перпендикулярную штриху фокуса (полюсная фигура кристалла с нанесенными на ней положением плоскости дифракции (и-, R„ R„)

702 относительно нормали поверхности кристалла N) и выводят плоскость (202) в брэгговское положение тремя последовательными поворотами кристалла, один из которых P= — осу(2 ществляют вокруг нормали поверхности кристалла N, при этом и устанавливают параллельно экваториальной плоскости, другой =30 — вокруг нормали отражающей плоскости (вокруг оси, лежащей в плоскости образца и перпендикулярной оси гониометра) для расположения плоскости дифракции параллельно экваториальной р I плоскости, третий 8=22 40 — вокруг оси гониометра да вывода отражающей плоскости в брэгговское положение.

Облучают входную поверхность кристалла монохромагизированным рентге новским пучком и регистрируют пря.мой и дифрагированный пучки на фотопластинку, параллельную выходной поверхности кристалла.

Предлагаемый способ по сравнению с известным позволяет одновременно регистрировать кососимметричные дифракционные картины прямого и дифрагнрованного пучков, содержащих взаимодополняющую информацию о дефектах как толстых, так и слабопоглощающих и тонких монокристаллов, что расширяет класс исследуемых кристаллов.

При этом за счет применения монохроматизированного излучения увеличивается разрешение, а следовательно, повышается информативность способа.

Способ может найти широкое применение при исследовании реальных монокристаллов, используемых в производстве полупроводниковых приборов.

Формула изобретения

Способ кососимметричных съемок в рентгеновской трансмиссионной топографии, включающий установку кристалла известной ориентации в держателе на оси гониометра, предварительную его ориентировку, при которой нормаль поверхности кристалла и нормаль отражающей плоскости выводят в плоскость, содержащую ось гониометра, вывод отражающей плоскости в кососимметричное брэгговское положение, облучение входной поверхности кристалла пучком рентгеновских лучей источника со штриховым фокусом, регистрацию ди- фракционной картины на фотопластинку, параллельную выходной поверхности кристалла, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью расширения класса исследуемых кристаллов, при выводе в кососимметричное брэгговское положение нормаль к отражающей плоскости устанавливают параллельно экваториальной плоскости гониометра, а облучение входной поверхности кристалла осуществляют монохроматизированным излучением, поляризованным так, что вектор электрической индукции перпендикулярен экваториальной плоскости гониометра.

1223104

Заказ 1704/45

Тираж 778 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д; 4/5 филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Составитель .Т. Влапимирова

Редактор Н.Бобкова Техред В. Кадар Корректор С.Шекмар