Устройство для моделирования ветви вентильного преобразователя

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в аналоговых и гибридных вычислительных машинах при моделировании вентильных преобразователей. Целью изобретения является расширение функциональных возможностей устройства за счет моделирования тиристорно-диодной ветви, ветви из встречно-параллельно включенных тиристоров или семистора. Устройство содержит операционный усилитель, токозадакшугй резистор, источник управляющего напряжения , ключевой транзистор, диодный ключ, дополнительный источник управляющего напряжения, дополнительный транзистор обратного по отношению к основному транзистору типа проводимости , два коммутирующих диода и дополнительный диодный ключ. Достижение поставленной цели обеспечено за счет введения дополнительного ключевого транзистора, дополнительного источника управляющего напряжения и двух диодных ключей разнополярной проводимости, а также за счет новых связей между составными элементами, 1 ил. с в сл

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (19) (11) R (51) 4

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

13, К ABTOPCHOIVIV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3720220/24-24 (22) 03.04.84 (46) 23.03.86.Бюл. N 11 (71) Научно-исследовательский, проектно-конструкторский и технологический институт силовой полупроводниковой техники (72) Г.Д.Мещерин (53) 681.3 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

У 911565, кл. G 06 G 7/62, 1982.

Авторское свидетельство СССР

N 1161966, кл. G 06 G 7/62, 1983. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ

ВЕТВИ ВЕНТИЛЪНОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в аналоговых и гибридных вычислительных машинах при моделировании вентильных преобразователей.

Целью изобретения является расширение функциональных воэможностей устройства эа счет моделирования тиристорно-диодной ветви, ветви из встречно-параллельно включенных тиристоров или семистора, Устройство содержит операционный усилитель, токозада)оций резистор, источник управляющего напряжения, ключевой транзистор, диодный ключ, дополнительный источник управляющего напряжения, дополнительный транзистор обратного по отношению к основному транзистору типа проводимости, два коммутирующих диода и дополнительный диодный ключ. Достижение поставленной цели обеспечено за счет введения дополнительного ключевого транзистора, дополнительного источника управляющего напряжения и двух диодных ключей разнополярной проводимости, а также за счет новых связей между составными элементами.

1 ил.

1220009

Изобретение ОTíocèтся к вычислив тельной технике и мажет б.гть использОВЯНО Б BHBJIo OI«be и ГибгиДI!bo» Вы з а с че т маце,гира вания тири стс рно -ди-одной ветви, ветни 2»э Встречна-параллельнс Включенных тири -тар а«2»ли

СЕМИС-:.OOB

Ня чертеже приведена "".õåìà устРОЙСTBBУстройства содержит операционный усилитель I, таказацающий резистор 2 источник 3 управляющего напряжения, ключевой транзистор Йт диоцный ключ 5„. дополнительный источник б управляющего напряжения, дополнительный транзистор 7 обратного по отношению к транзистору ч типа проводимости, коммутирующие циоды 8 и 9, циодный ключ 10, Диодные ключи 5 и 10 выполнень: саответcòâåííî на диодах 1!„

12 и 13, Перечисленные элементы соединены по приведенной на чертеже схеме,пркчем для нормального функдт»-гониронания устройства HCTO«:ники 3 > б управляющего напряжения должны иметь достаточка высокое ныхадное сопратингге1-П 1 е

Устро». 80 работает следующим образом.

HB ВХОД,::стрОйсTBB IпОдаеTcp. И=cÎ ражение напряжения на реальном полупроводниксвам приборе или нстречнс параллельно =-оединенной -:ðóïïå полупроводниковых приборов ветвк »оделиpyeb»oI c 1BeI«THJIb» oro преобразователя, а»а выходе формируется изображение тОКа Этай НЕ ТВH УПРЯНЛ»ЕНИЕ yCTPOH-. стном осущестнлу»етг.я тга»тячей полажг»т

ТЕЛЬ НЬгХ (ОТРИ»i BTЕЛЬ»«Ь»Х,Г ИМПУЛЬСОВ 0 истонника 3 (б) управляющего напряже— ния ва коллектор ключ тора 4 (7 ;,. рябатающе режиме,: Подача »»олажи цательнь»х) напряжений евога трянзис-В ИНВЕРСНС».

Г тельных, отрина коллектор г«(7) СаатВЕтключевого транэкстоpB ствует отсутстнию сигнала управления, .а сняти- положительного,oòðHцательногo) напряжения с колл:--ктор-ключенОга транзистора 2»(,7) — -iали JC. POHCI вя, 11ри подаче управляющих напряжений на касц»ектапы транэистарон г«и 7

II! cJ»HTcJIbHb2I» машинах !IDH»гтделиранании нентильнъ»х преабраз-,íателей, Цель изобретения — расширение функцианальнь;х возможностей устрсйства —. ранэис тор гт, диац 8, транзистор 7, диац 9 и ключи э и 10 находятся н ра 1«адяше»": состаяни»», Вход и Выход

О 110 р я пи О 1» н а г 7 y c H J» -и т ел я 1

5 и «я Выходе устройства напряжение рBâHо нулю независимо ат палярносВХОДHO! 0 HBIIPR7rЕНИЯ, СТPOHCTI«O моделирует непронодящее состояние .полупроводниковых приборов Ветви вентильногo »треобразователя, ,1ри o,срицательнам (положительном) напряжении на входе устройства

ri кратканременном снятии управляюIIe.-:. напряжения с коллектора транзистора ?2(7) и гостоянно поданном управляющем напряженик на коллектор гра»«зкст".рВ 7 (2«) на выходе устройства лаянл =eт я положительное (отрицагел ное) напряжение, являющееся изоб

7О ражением гока тиристара ветви вен".Hëbíoãà преобразователя.

Устройства моделируе",. проводящее

:.:ocTояние тиристора ветви вентильнаго преобразователя„ Положительное

2-5 (отрицатель»»ое) нагряженке с выхода операционно га усилителя 1 г оддержива: т запер тсе со стояние ныпряьп«тельнодиодя 8(9,, транз:»стара ?т (7) до

»оМеНТВ дОс Гижения напряжением на Вы20,.соде операционно o усилителя Нуле.«ога уровня, Закрытое состояние выпряи»тепьнагс диода 8 (9) препятствует

»»робою перехода база — эмит..ер тран:истopB 4(7) при положительном (отоицятельном,) сигнале : вь:хода опера;конного усилителя 1» который может бьгть .Нячительна больше допустимога

1»ягряжения база — эмиттер транзисто-)B г ., (7), При отрицательном (положительном) напряжении на входе устройства и постояннагс: с»«ятoì управляющем нялря1«ен». и с <0:ь(ектг»ря трянэистОВЯ (/) постоянно ",,îäàííîì угрявл»«юще2«напряжении ня коллектор .-ранзистара 7 (2«) па Вы аде устройства появляется положительное (отрицательное) нагряжение, я:с»»яющееся изображением тока Диода

TBH Вен: ильнаго преобразователя.

Устройство м .>peJIHpye..- проводящее

»ас-.àÿíèå диода ветви нентильного и еабряei Вате-IH

В "»0 <: -H T дасткжения полажитель(о TpHiiятельны г) напряжением на выходе олеаящоннаго усилителя 1 нуг ,-ево»о уровня при рабате устройства ! режиме про водима стк тирис тара или .i иадB транзистОр « . ди Од 8 г тран

220009

10 зистор 7, диод 9 и ключи 5,10 переходят в открытое состояние и на выходе операционного усилителя ) поддерживается нулевой уровень.

Устройство моделирует закрытое состояние тиристора или диода вентильной ветви.

При отрицательном (положительном) напряжении на выходе устройства и кратковременном снятии управляющего напряжения с коллектора транзистора

4(7) и постоянно снятом управляющем напряжении с коллектора транзистора

7(4) на выходе устройства появляется положительное (отрицательное) напряжение, являющееся изображением тока тиристора тиристорно-диодной группы ветви вентильного преобразователя.

В этом режиме закрытое состояние ключа 5(10) устройства сохраняется и при переходе положительного (отрицательного) напряжения через нуль и устройство моделирует открытое состояние диода тиристорно-диодной групры вентильной ветви. Закрытое состояние тиристорно-диодной группы восстанавливается при достижении отрицательными (положительными) напряжением с выхода устройства нулевого уровня.

При кратковременном снятии управляющих напряжений с коллекторов транзисторов 4 и 7. и независимо от полярности напряжения на входе устройства на выходе устройства появляется напряжение, которое является изображением тока семистора или группы встречно-параллельно соединенных тиристоров при одновременном поступлении на их управляющие электроды управляющих импульсов.

При кратковременном снятии управляющего напряжения с коллектора транзистора 4 (7) напряжение на выходе устройства, являющееся изображением тока, появляется только при отрицательном (положительном) напряжении на входе устройства. В этом случае устройство моделирует работу группы встречно-параллельно соединенных тиристоров вентильной ветви при независимом управлении тиристорами группы

50 от модели системаi управления исследуе мо го пр еоб раэова тел я .

В частном случае, когда требуется моделировать только тиристорно-диодные группы вентильного преобразователяля, по одному иэ диодных ключей

5 () О), выпрямительных диодов 8 (9), транзисторов 4 (7) и источника управляющего напряжения 3 (6) из устройства можно исключить °

Формулаизобретени я

Устройство для моделирования ветви вентильного преобразователя, со— держащее операционныи усилитель, ключевой транзистор, источник управляющего напряжения, токозадающий резистор и два согласно включенных коммутирующих диода, общий вывод которых соединен с выходом операционного усилителя, свободный вывод первого выпрямительного диода подключен к базе ключевого транзистора, коллектор которого соединен с выходом источника управляющего напряжения, токозадающий резистор включен между входом операционного усилителя и входом устройства, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью расширения функциональных воэможностей эа счет моделирования тиристорно-диодной ветви, ветви из встречно-параллельно включенных тиристоров или семистора, оно содержит дополнительный ключевой транзистор обратного по отношению к основному ключевому транзистору типа проводимости, дополнительный источник управляющего напряжения и два диодных ключа раэнополярной проводимости, которые включены параллельно oneрационному усилителю и подсоединены управляюшими входами к эмиттерам соответственно основного и дополнительного ключевых транзисторов, база и коллектор дополнительного ключевого транзистора подключены соответственно к свободному выводу второго коммутирующего диода и к выходу дополнительного источника управляющего напряжения, выход операционного усилителя является выходом устройства.

1?20009

Составитель А...Маслов

Редактор С,Лыжова Техред . 1.Олейник Корректор М,,Шароши

Заказ 1323/54 Тираж 671 Подписное

ВНИИПИ Государственного коьжтета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„„ д.4/5

Филиал ППП "Патент", -:„Ужгород. ул.,Проектная, 4