Четвертьволновая фазовая пластинка
Изобретение относится к области технической физики и может быть использовано для получения заданного характера поляризации излучения в расширенном спектральном диапазоне 300-400 нм. Четвертьволновая фанзовая пластинка вьшолнена из двулз чепреломляющего кристалла, оптическая ось которого расположена в плоскости пластинки. Использование искусственно выращенного монокристалла лантан-галлиевого силиката расширило спектральный рабочий диапазон, поскольку отношение ш / А для него меняется незначительно (8%). 1 ил., 1 табл.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИН
09) (!1)
5114 Ci 02 В 1/02
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ,,/
М ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ /
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3817333/24 — 10 (22) 22.11.84 (46) 15.01.86. Бюл. У 2 (71) Ордена Трудового Красного Знамени институт кристаллографии им. А. В. Шубникова (72) А. А. Каминский, Б. В. Милль, Б. Н. Гречушников, А, Ф. Константинова и А. И. Окорочков (53) 535.824.4 (088.8) (56) Калитеевский Н. И. Волновая оптика.
М.: Наука, 1971, с. 83 — 84, Там же, с. 97 — 98. (54) ЧЕТВЕРТЬВОЛНОВАЯ ФАЗОВАЯ ПЛАСТИНКА, (57) Изобретение относится к области технической физики и может быть использовано для получения заданного характера поляризации излучения в расширенном спектральном диапазоне 300 — 400 нм. Четвертьволновая фазовая пластинка выполнена из двулучепреломляющего кристалла, оптическая ось которого расположена в плоскости пластинки. Использование искусственно выращенного монокристалла лантан-галлиевого силиката расширило спектральный рабочий диапазон, поскольку отношение р/ 9t для него меняется незначительно (8%). 1 ил., 1 табл.
1205092
Формула изобретения
300 310 320 330 340 350 360 370 380 390 400
31,67 31,29 31,25 30,9 30,5 30,09 29,58 29,19 28,63 28,13 27,58 эGa $ О
SiO T.
34,74 32,74 31,47 30,24 29,19 28,11 27,17 26,30 25,45 24,41 23,93
Изобретение относится к технической физике, в частности к оптическому приборостроению, и может быть использовано для получения заданного характера поляризации излучения в расширенном спектральном диапазоне
300 — 400 нм.
Цель изобретения — расширение спектрального рабочего диапазона, На чертеже представлены зависимости двулучепреломления р кристаллов
1а ба $ О „и Si0 от длины волны h.
Четвертьволновая ахроматическая фазовая пластинка выполнена из двулучепреломляющего искусственно выращенного монокристалла
La >Ga
Излучение двулучепреломления этого кристал ла показывает, что оно имеет аномальный характер в области длин волн 300 — 400 нм (см, чертеж) . Дисперсия двулучепреломления для кварца, как следует иэ чертежа, имеет обычный для большинства известных кристаллов характер.
В таблице приведены значения p/ в интервале длин волн 300 — 400 нм для кристаллов La a Ga $ iO и кристаллического
$ 0
Из данных таблицы следует, что отношение р/ в интервале длин волн 300—
400 нм для кристалла 1а ба,$10, меняется незначительно (8%) . Если изготовить пластинку % /4 из этого кристалла, например, для Ъ вЂ” 350 нм толщиной 0,0083 мм, о то при 300 нм разность фаз А — 85,27, и эллиптичность k — 0,92, а при 7 — 390 нм, Ь = 85,63 и k — 0,93. Таким обра1п зом, пластинка h //44, изготовленная для длины волны h — "350 нм из кристалла
La Ga SiO,, может применяться в спектральэ ном интервале 300 — 400 нм в качестве ахроматической четвертьволновой пластинки с точностью до 8%. В то же время точность для пластинки 9/4, изготовленной из кварца, составляет 30%. Для большинства зллипсометрических измерений такая точность непригодна .
Четвертьволновая фаэовая пластинка, выполненная из двулучепреломляющего кристалла, оптическая ось которого расположена в
25 плоскости пластинки, о т л и ч а ю щ ая с я .тем, что, с целью расширения рабочего спектрального диапазона, она выполнена из монокристалла La
1205092
6И
Составитель В. Кравченко
Техред Л. Микеш Корректор А. Обручар
Редактор А. Огар
Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4
Заказ 8525/48 Тираж 525 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35„Раушская наб., д. 4/5
