Способ изготовления интегральной схемы
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ, включающий нанесение слоя двуокиси кремния на доменосодержащую структуру,нанесение слоя из сплава алюминий-медь,первую фотолитографию для формирования схемы проводников, оксидирование незащищенных участков сдоя алюминий-медь на всю глубину. последовательное нанесение пассивирующего слоя из двуокиси кремния и слоя пермаллоя, вторую фотолитографию для формирования схемы магнитопленочньпс аппликаций из пермаллоя и удаление маски фоторезиста, отличающийся тем, что, : целью упрощения технологического процесса, после нанесения слоя из сплава алюминий-медь выполняют его оксидирование на глубину 0,1-0,15 первоначальной его толщины с последующей термообработкой слоя при температуре 130-150 С в течение 15 20 мин, а после оксидирования на всю глубину незащищенных участков слоя алюминий-медь проводят дополни (Л тельную термообработку при температуре 200-300С в течение 1,5-2 ч.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ соцИАлистичесних
РЕСПУБЛИК (gg)g Н 05 К 3/00
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР (21) 3691358/21 (22) 16. 01. 84 (46) 23.07. 91, Бюл. Ф 27 (72) А. Я. Елин, В.С. Клейме нов, H.Ï.ÑàMðîâ и Н.Н,Усов (53) 621,396,.6-181.48 (088.8) (56) Патент США Ф 4280195, кл. 365-39, 1981.
Патент США В 4045302, кл. 204-15, 1976. (54)(57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ, включающий нанесение слоя двуокиси кремния на доменосодержащую структуру, нанесение слоя иэ спла- . ва алюминий-медь, первую фотолитографию для фьрмирования схемы проводников, оксидирование незащищенных участков слоя алюминий-медь на всю глубину, Изобретение относится к вычислительной технике, в частности, к способам изготовления интегральных схем запоминающего устройства на цилиндри ч ес к их маг ни т ных доме н ах .
Целью изобретения является упрощение технологического процесса, что позволяет повысить процент выхода годных схем за счет упрощения процесса формирования планарной поверхности при изготовлении интегральной схемы с доменосодержащей структурой.
На фиг.1-8 показана последовательность выполнения операций при изготовлении интегральной схемы, где изображены подложка 1 схемы с доменосодержащей структурой, на которую по„.SU„„. 1262493 А1 оследовательное нанесение пассивирующего слоя из двуокиси кремния и слоя пермаллоя, вторую фотолитографию для формирования схемы магнитопленочных аппликаций из пермаллоя и удаление маски фоторезиста, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического процесса, после нанесения слоя из сплава алюминий-медь выполняют его оксидирование на глубину 0,1-0,15 о г первоначальной его толщины с последующей термообработкой слоя при температуре 130-150"С в течение 15—
20 мин, а после оксидирования на всю глубину незащищенных участков слоя алюминий-медь проводят дополнительную термообработку при температуре 200-300 С в течение i 5-2 ч, следовательно нанесены слой 2 двуокиси кремния, слой 3 раэвсщки из сплава алюминий-медь, на .поверхности которого сформирован слой 4 окиси алюминия, маска 5 из фоторезиста, маска 6 из окиси алюминия, схема 7 разводки, слой 8 двуокиси кремния, магнитопленочные аппликации 9 из пермаллоя.
Пример. На подложку 1 с доме. носодержащей структурой наносят слой 2 двуокиси кремния ппаэмохимическим осаждением в ВЧ разряде, На- пыпяют слой 3 разводки иэ сплава алюминий-медь, Проводят пассивирование этого слоя в растворе 2-3Х-ной ща/ .велевой кислоты при плотности токэ
1202493
/ггггггггrrrг гг гr г rr гг гг гг.гг,г гг гг гг г г г гг г,ф г,г г г, гг р г г гг гг гг г гг ггг rr rr
Редактор Е.Гиринская Техред Л.Сердюкова
Корректор H.Ðåâñêàÿ
Заказ 3128 Тираж. 510 Подпис ное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", r.ужгород, ул. Гагарина,101
0,3-0,5 мА/см методом анодного оксидиронания в течение времени, когда напряжение (3-5 В) между анодом и катодом достигнет установившегося значения. Глубина пассивированного слоя, то есть слоя 4 окиси алюминия, составляет 0,1-0,15 первоначальной толщины слоя разводки (фиг.1-3), Выполняют термообработку слоя окиси алюминия при температуре 130150оС н течение 15-20 мин. Формируют маску 5 из фоторезиста и проводят анодное оксидирование незащищенных участков слоя алюминий-медь на всю глубину в растворе 2-3%-ной щавелевой кислоты при плотности тока 0,30,5 мА/см при напряжении между электродами 3-5 В н течение времени, пока ток н цепи не примет нулевое значение (фиг. 4-5).
Удаляют маску из фоторезиста. Проводят дополнительную термообработку
10 при температуре 200-300"С н течение
1,5-2 ч, напыляют слой 8 иэ двуокиси кремния, на который наносят слой 9 пермаллоя, выполняют вторую фотолитографию и формируют магнитопле15 ночные аппликации.
