Способ получения полупроводниковых пленок на диэлектриках
№ 128008
Класс 32Ь, 6во
12л, f0
СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
А. Я. Кузнецов, Б. П. Крыжановский и В. М. Троицкий
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК НА
ДИ ЭЛЕКТР И КАХ
Заявлено 8 июля 1959 г. за № 633156/23 в Комитет по делам изобрегеиий и открытий при Совете Министров СССР
Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 9 за 1960 г.
Разработанные ранее полупроводниковые пленки из окислов некоторых металлов (олова, индия, кадмия ) позволяют превращать такие изоляторы как стекло и керамику в электропроводящий материал. Эти пленки нашли широкое применение в промышленности для устранения запотевапия стекол в оптических прноорах н на транспорте для снятия электростатических зарядов в электронных приборах и для многих других целей.
Однако все разработанные как в СССР, так и за границей полупроводниковые,пленки прозрачны лишь в видимой части спектра. Полупроводниковых пленок, прозрачных в инфракрасной области спектра, до настоящего времени не было.
Быстро развивающаяся инфракрасная техника применяет в к; честве оптических сред такие материалы как природные и искусственные монокристаллы, являющиеся диэлектриками. В связи с этим необходимы электропроводящие пленки, прозрачные в инфракрасной области спектра.
Найден новый способ с применением трсхокиси вольфрама для получения на диэлектриках полупроводниковых пленок, прозрачных пе только в видимой, но и в инфракрасной области спектра, путем термообработки в атмосфере водорода диэлектриков, например, оптических деталей, покрытых слоем шестихлористого вольфрама, нанесенного из раствора в сухом этиловом спирте, илп непосредственно слоем трехокиси вольфрама испарением последнего в вакууме.
Предлагаемые способы позволяют получать электропроводящпе пленки, прозрачные в инфракрасной области спектра и хорошо закрепляющиеся на поверхности стекол и оптических кристаллов.
Первый способ заключается в том, что известным методом химического просветления наносят тонкий слой диэлектрика из трехокисп вольфрама путем смачивания поверхности горизонтально-вращающейся детали некоторым количеством 5 — 25",.1)-ного раствора шестихлорнсго
![Способ получения полупроводниковых пленок на диэлектриках](https://img.poleznayamodel.ru/img_pat/359/3598670-s.jpg)
![Способ получения полупроводниковых пленок на диэлектриках](https://img.poleznayamodel.ru/img_pat/359/3598671-s.jpg)