Способ контроля поверхностных дефектов твердых материалов

. 00103 СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) 01) (51) 4 Н О1,) 9/42

ГОСУДАРСТОЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Ъ ..Й (21) 3784769/24-21 (22) 25.06.84 (46) 07.12.85. Бюл. У 45 (71) Ташкентский государственный университет им. В.И.Ленина (72) А.P.Êðàñíàÿ, Б.М.Носенко, В.Я.Ясколко и Л.Н. Остер (53) 533.583.2(088.8) (56) Константинова-Шлезингер М.А.

Люминесцентный анализ. М.: Наука.

1964, с.241-251.

Baxter W.J., J.Appl. Phys., 1971, 44, 608. (54(57) 1.СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ ДЕФЕКТОВ ТВЕРДЫХ МАТЕРИАЛОВ, включающий облучение контролируемой поверхности светом и регистрацию .тока экзоэлектронов, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, перед облучением на поверхность наносят слой предварительно возбужденного сульфата Са, Ва или Sr из водной или спиртовой суспензии;

2. Способ по п,l, о т л и ч а юшийся тем, что предварительное возбуждение сульфата осуществляют электронами энергией 1-2,3 1О эВ.

3. Способ по п.l о т л и ч а юшийся тем, что предварительное возбуждение сульфата осуществляют фотонами энергией 9-12 10 эВ.

4. Способ по п.l, о т л и ч а юшийся тем, что предварительное возбуждение сульфата осуществляют дозой 15-20 ° 10 бэр.

Изрбретение относится к физике твердых тел, а именно представляет собой новый метод анализа поверхностных.дефектов (типа трещин, цррапин и т.д.),.основанный на регистрации фотостимулированной экзоэлектронной эмиссии (ФСЭ).

Цель изобретения †. расширение функциональных воэможностей за

I счет увеличения числа материалов, подлежащих контролю.

На фиг.1 и 2 приведены результаты измерения ФСЭ

Сущность способа заключается в том, что поверхность покрывают предварительно возбужденными веществами (эмиттерами), обладающими хорошей проникающей способностью или хорошей адгезией с дефектными местами и значительной фотостимулированной экзоэмиссией, излишек вещества удаляют, после чего измеряют ФСЭ, которая идет с декорированных таким образом дефектных мест исследуемого материала.

Заметная ФСЭ сульфатов при возбуждении фотонами проявляется при наименьшей энергии, равной 9 эВ. Воэбужцение ФСЭ можно производить такжевысокоэнергетичными электронами (например, а -частицами ) с энергией 2,3 10 эВ, рентгеновскими

С лучами с энергией фотонов до

104

Пример 1 ° Никелевая пластина с дефектами, возникшими при механи9б971 2 ч ческой обработке, декорирована сухим предварительно возбужденным (рентгеном) порошком CaS04 (излишки порошка стирают). Толщина декорированного слоя 1-2 мкм. При этом контролируют дефекты с размером не менее О,l мкм. Измерение ФЭС проводят искровым счетчиком открытого типа, оптическая модуляция — фокуси10 рованным светом света лампы накаливания, объект сканируют счетчиком.

В качестве объектов контроля берут пластины меди, латуни, никеля, стекла.

На фиг.1 по оси абсцисс отложена координата вдоль одного из направлений на поверхности образца, по оси ординат — интенсивность ФСЭ. Тонкими

20 вертикальными отрезками отмечены положения дефектов. Высота каждого отрезка пропорциональна ширине соответствующего дефекта, Как видно из фиг.1, ФСЭ с декорированных де25 фектов превышает фоы в 5-15 раз.

Пример 2. Латунная пластина с трещинами, созданными механическим нагружением образца, декорирована

З0 сульфатом кальция, осажденным из водной суспенэии. Интенсивность ФСЭ с дефектных мест в 10-45 .раз превьппает фон (фиг.2).

Аналогичные результаты получены при использовании в качестве эмиттера сульфатов Sr и Ва.

ВНИИПИ Заказ 7571/53 Тираж 678 Подписное

Филиал ППП "Патент", г.ужгород,ул.Проектная,4