Способ изготовления датчика влажности
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДАТЧИКА ВЛАМОСТИ, заключающийся в том, что на изолированную подложку наносят пленочный электрод, на поверхности которого размещают полупроводниковую пленку, поверх этой пленки наносят проницаемый для анализируемой среды второй электрод, отличающийся тем, что, с целью повьшения чувствительности и селективности датчика, полупроводниковую пленку изготавливают в виде напыленного слоя , второй электрод изготавливают напылением Си, после чего полученную структуру облучают белым светом до достижения стабильного во времени сопротивления между электродами.
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТ ИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИН () 9) (1)) (51)4 G 01 N 27/02,т
»
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
»»»
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3744666/24-25 (22) 24.05.84 (46) 30.10.85. Бюл. К 40 (71) Ордена Трудового Красного
Знамени институт физики АН АЗССР (72) Т.Д. Джафаров, Ю.Г. Фаривер, А.И. Байрамов и С.Ф. Гафаров (53) 533.275(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР
У 541137, кл. С 01 Ч 1/11, 1976.
Патент Великобритании Ф 1482584, кл. G 01 N 27/12, 1977. (54)(57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИИ ДАТЧИКА
ВЛАЖНОСТИ, заключающийся в том, что на изолированную подложку наносят пленочный электрод, на поверхности которого размещают полупроводниковую пленку, поверх этой пленки наносят проницаемый для анализируемой среды второй электрод, отличающийся тем, что, с целью повьппения чувствительности и селективности датчика, полупроводниковую пленку изготавливают в виде напыленного слоя Аз 8, второй электрод изготавливают напылением
Си после чего полученную структуру облучают белым светом до достижения стабильного во времени сопротивления между электродами.
Составитель В.Екаев
Редактор Н.Горват Техред М.Гергель Корректор Т.Колб
Заказ 6737/45 Тираж 896 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4Изобретение относится к гигрометрии, а именно к электрическим датчикам, служащим для измерения влажности различных газов.
Целью изобретения является повышение чувствительности и селективности датчика.
Способ изготовления датчика влажности заключается в том, что на изолирующую подложку наносят пленочный электрод, на поверхности которого размещают полупроводниковую пленку, поверх этой пленки наносят проницаемый для анализируемой среды второй электрод. Полупроводниковую пленку изготавливают в виде напыленного слоя As Б, второй электрод изготавливают напылением
Си, после чего полученную структуру облучают белым светом до достижения стабильного во времени сопротивления между электродами.
На чертеже схематически представлен датчик влажности, разрез.
Датчик содержит непроводящую подложку 1, на которой вакуумным напылением в виде пленки нанесен слой металла, представляющий собой нижний электрод 2. На этот электрод напылена пленка халькогенидного аморфного полупроводника.Аз Бэ 3. ,На этой пленке вакуумным напылением иэ меди нанесен верхний металличес88615 2 кий электрод 4, который является проницаемым для паров воды, содержащихся в воздухе. Эта влагопроницаемость достигается тем, что ввиду с малой толщины верхнего электрода (. 50 Ic.) он осаждается на пленку из Аз Я в виде рыхлого слоя, содержащего многочисленные сквозные поры.
10 Для создания электродов используются такие металлы как А1, Ag, Си, Тп. Наиболее подходящим материалом для электродов, обеспечивающих высокую чувствительность и стабильность, является медь, так как пленка алюминия быстро разрушалась под действием паров воды и электрического поля, серебро значительно диффундирует под действием света в As< S, а на индиевых электродах трудно получить пленку с достаточным количеством сквозных пор.
После создания датчика его подвергали действию белого света мощЯ ностью 30 МВт/см для проведения фотоформовки, что привело к стабилизации и увеличению чувствительности датчика. По истечении 10 мин электрические характеристики датчика стабилизировались и дальнейшее воздействие света не приводило к их изменению.
