Генератор прямоугольных импульсов

 

ГЕНЕРАТОР ПРЯМОУГОЛЬНЫХ ИМПУЛЬСОВ, содержащий первый и второй транзисторы одного типа проводимости , терморезистор, первый, второй и третий резисторы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения массогабаритных показателей за счет увеличения коэффициента использования терморезистора, в него дополнительно введены третий транзистор противоположного типа проводимости, первый, второй и третий диоды, стабилитрон, четвертъш и пятый резисторы, причем первый вывод четвертого резистора соединен с коллектором первого транзистора , а второй вывод - через терморезистор с общей вшной, через первый диод - с коллектором второго транзистора, а через последовательно включенные второй и третий диоды - с базой третьего транзистора , которая через первый резистор соединена с шиной источника питания, эмиттер третьего транзистора соединен с эмиттером второго транзистора, база которого соединена через второй резистор с шиной источника питания, а через стаби§ литрон или шестой резистор - с общей шиной, коллектор третьего транзис (Л тора через третий резистор соединен с базойпервого транзистора, эмиттер которого соединен с шиной источника питания, база первого транзистора через пятый резистор соединена с шиной источника питания. 00 IN Од СО

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (sl)4 Н 03 К 3/02

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABTOPCHGMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

UAix

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

f10 ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3522209/24-21 (22) 14. 12,82 (46) 30.09.85. Бюл. № 36 (72) Н.И. Турченков (53) 621.373(088.8) (56) Электротехника, 1967, № 5, с.62. (54) (57) ГЕНЕРАТОР ПРЯМОУГОЛЬНЫХ

ИМПУЛЬСОВ, содержащий первый и второй транзисторы одного типа проводимости, терморезистор, первый, второй и третий резисторы, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью уменьшения массогабаритных показателей за счет увеличения коэффициента использования терморезистора, в него дополнительно введены третий транзистор противоположного типа проводимости, первый, второй и третий диоды, стабилитрон, четвертый и пятый резисторы, причем первый вывод четвертого резистора сое„„Я0„„11826 О динен с коллектором первого транзистора, а второй вывод - через терморезистор с общей шиной, через первый диод - c коллектором второго транзистора, а через последовательно включенные второй и третий диоды — с базой третьего транзистора, которая через первый резистор соединена с шиной источника питания, эмиттер третьего транзистора соединен с эмиттером второго транзистора, база которого соединена через второй резистор с шиной источника питания, а через стабилитрон или шестой резистор — с общей шиной, коллектор третьего транзис.тора через третий резистор соединен с базой-первого транзистора, эмиттер которого соединен с шиной источника питания, база первого транзистора через пятый резистор соединена с шиной источника питания, 1182630 .

ВНИИПИ Заказ 6117/53 Тираж 871 Подписное филиал ППП "Патент", г.Ужгород, ул.Проектная, 4

Изобретение относится к импульсной технике и используется в приборах, формирующих непрерывные прямоугольные импульсы с заданной частотой, например, для бесконтактной мигающей сигнализации на автомобилях.

Цель изобретения — уменьшение массогабаритных показателей за счет увеличения коэффициента использования термореэистора.

На чертеже представлена принци» пиальная схема генератора.

Схема содержит транзисторы 1, 2 и 3, стабилитрон 4 термореэистор 5, диоды 6-8,резисторы 914 питания, причем эмиттер транзистора 3 соединен с шиной источника

iiliiапнн, эмиттеры транзисторов 1 и !

2 оединены между собой, коллектор ,тг:ан н..тара 1 через резисторы 11, 20

13, а его база через резистор 9 сосд ..нспы с шиной источника питания, база транзистора 1.через диоды б, 7, а коллектор транзистора 2 через диод 8 соединены с термо- 25 резисчором 5 и резистором 10, другие выводы которых подсоединены к обдели пине и коллектору транзистора l аза транзистора 2 через резистор 12 и стабилитрон 4 сое- щ динь соответственно .с шиной источника 1" питания и общей шиной, база транзистора 3 подключена к точке соединения резисторов 11 и 13.

В исходном состоянии сопротивление терморезистора 5 высокое..

При подаче на схему напряжения питания Е от источника 14 транзисторы 1. 2 и 3 входят в режим насыщения тока через резистор 9.

Через резистор 10 к терморезистору

5 прикладывается высокое напряжение отрицательной полярности, вследствие чего диоды 6-8 заперты обратным напряжением (напряжение пробоя ста- 45 билитрона 4 меньше напряжения на терморезисторе 5), На выходной шинеЦ <высокий потенциал близкий по своей величине к источнику питания Е . Вследствие протекания через терморезистор 5 тока резистора 10 он разогревается и его сопротивление по мере разогрева уменьшается, а следовательно, уменьшается и падение напряжения на нем и на анодах диодов.

Когда напряжение на терморезисторе станет по своей величине меньше, чем напряжение на базе транзистора 2, .начинает проводить ток диод 8 и коллектор транзистора 2. После этого момента через терморезистор 5 протекает сумма токов коллектора транзистора 2 и ток резистора 10. Это увеличивает скорость разогрева терморезистора, сопротивление его уменьшается и уменьшается падение напряжения на нем.

Когда напряжение на терморезисторе 5 достигнет такой величины, при которой. начнут проводить кремниевые диоды 6 и 7 ток базы транзистора 1, следовательно, и ток эмиттеров транзисторов 1, 2 уменьшится (токи эмиттеров в б раз больше изменяются, чем ток базы транзистора 1) что приводит к подзапиранию транзисторов 1, 3, уменьшению напряжения на коллекторе транзистора 3 и тока через резистор 10 и терморезистор 5..

Вследствие уменьшения тока через терморезистор происходит уменьшение напряжения на нем, еще большее уменьшения тока базы транзисторов 1 и 3 и т.д., т.е. развивается лавинообразный процесс, после которого транзисторы 1-3 запираются и на выходе напряжение U,„ становится равным нулю. Через терморезистор после этого протекает малый ток резистора 9 (потенциал на базе транзистора

2 в этом режиме выше потенциала базы транзистора 1, который определяется делителем па сопротивлениях 9 и 5), вследствие чего термо-. резистор 5 остывает и увеличивается его сопротивление и падение напряжения на нем.

Когда напряжение на терморезисторе достигнет величины большей напряжения на базе транзистора 2, начнется лавинообразный процесс, аналогично рассмотренному, и на выходе Ljii, снова напряжение будет высокое.

Предлагаемый генератор в связи с малым его объемом может найти применение в электрокардиостимуляторах.