Способ измерения поверхностного сопротивления высокоомного покрытия на диэлектрической подложке

 

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ВЫСОКООМНОГО ПОКРЫТИЯ НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКЕ , включающий размещение исследуемого образца в максимум поля открытого резонатора, настроенного в резонанс и образованного под вижным и неподвижным зеркалами, и измерение мощности на зъкопе открытого резонатора, по которой определяют поверхностное сопротивление ВЫСОКООМНОГО покрытия на диэлектрической подложке, отличающийся тем, что, с целью повышения точности путем исключения влияния на результат измерений толщины диэлектрической подложки, перед размещением исследуемого образца в открытый резонатор помещают вспомогательный образец, вьтолненный в виде ВЫСОКООМНОГО покрытия на диэлектрической подложке, толщинакоторой равна средней толщине диэлектрической подложки исследуемых образцов, а между вспомогательным образцом и подвижным зеркалом, парал лельно им - диэлектрическую пластину , площадь которой не менее площади подвижного и неподвижного зеркал, i а толщина с/ и диэлектрическая проницаемость удовлетворяют уело (Л ВИЮ . ofj, , где Е ос соответственно диэлектрическая проницаемость и средняя т.олщина ди - электрической подложки исследуемого образца, настраивают открытый резонатор на резонанс,затем заменяют вспомогательный образец исследуеО ) мым образцом, осуществляютколеоа оо бания диэлектрической пластины с амплитудой, превьшающей ее удвоенную N| толщину в направлении, перпендикулярном ее плоскости, и измеряют максимальное значение мощности на выходе открытого резонатора.

СОЮЗ COBETGHMX

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН.. Я0„„1168871

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ

H ABTOPCHOMY (ВИДЕ П=ЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3689557/24-.09 (22) 05.01.84 (46) 23.07.85. Бюл. № 27 (72) В.В. Гаврилин, Ю.К.Григулис и У.P. Порис (71) Физико-энергетический институт АН Латвийской ССР (53) 621.317(088.8) (56) D.S. Komm. Fast Scanning Раг.

Тпйrared Fabry-Pегоt Interfегоmeter.

"Applied Optics", vol 14, 1975, № 2. р. 460-464.

P.S. Nelakantasmamy, Application

of Microwave Fabry-Pегоt Тпз rumentation to Material Testing"- "Rev, Sci. Instrum"., vol.46, 1975, ¹ 1, р. 1396-1398. ,(54)(57) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ BblCOKOOMHOI О

ПОКРЫТИЯ НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКЕ, включающий размещение исследуемого образца в максимум поля открытого резонатора, настроенного в резонанс и образованного под.вижным и неподвижным зеркалами, и измерение мощности на выходе открытого резонатора, по которой определяют поверхностное сопротивление высокоомного покрытия на диэлектрической подложке, о т л и— ч а ю шийся тем, что, с целью повышения точности путем исключения влияния на результат измерений толщины диэлектрической подложки, перед размещением исследуемого образца в открытый резонатор помещают вспомогательный образец, выполненный в виде высокоомного покрытия на диэлектрической подложке, толщина. которой равна средней толщине диэлектрической подложки исследуемьк образцов, а между вспомогательным образцом и подвижным зеркалом, парал лельно им — диэлектрическую пластину, площадь которой не менее площади подвижного и неподвижного зеркал, а толщина с и диэлектрическая проницаемость Е удовлетворяют условию Жс 2, с,, где Ео и о соответственно диэлектрическая проницаемость и средняя толщина диэлектрической подложки исследуемого образца, настраивают открытый резонатор на резонанс, затем заменяют вспомогательный образец исследуемым образцом, осуществляют. колебания диэлектрической пластины с аяплитудой, превышающей ее удвоенную толщину в направлении, перпендикулярном ее плоскости, и измеряют максимальное значение мощности на выходе открытого резонатора.

1 1168

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано для контроля и измерения сопротивления квадрата поверхности тонких высокоомных полупро- 5 водниковых и других проводящих покрытий на диэлектрических подложках.

Цель изобретения — повышение точности путем исключения влияния на результат измерений толщины диэлектри10 ческой.подложки.

На чертеже приведена структурная электрическая схема устройства для измерения поверхностного сопротивления высакоомного покрытия на 15 диэлектрической подложке, реализующего предлагаемый способ.

Устройство содержит СВЧ-генератор

1, вентиль 2, открытый резонатор 3, образованный подвижным 4 и непод- 2р вижным 5 зеркалами, детектор 6, индикатор 7, диэлектрическую пластину 8, соединенную с виброустройством

9, вспомогательный образец 10, выполненный в виде высокоомного по- 25 крытия на диэлектрической подложке.

Способ осуществляется следующим образом.

В максимум поля между подвижным 4 и неподвижным 5 зеркалами настроенного в резонанс открытого резонато.ра 3 (посредине, если открытый резонатор 3 настроен на первый максимум) помещается вспомогательный образец 10 (со средней толщиной диэлектрической подложки). Между вспомогательным образцом 10 и подвижным зеркалом 4 вставляется диэлек871 2 трическая пластина 8 с малыми потерями, толщина of которой и диэлектрическая проницаемость E удовлетворяют ,условию где о, . — диэлектрическая проницае— мость и толщина диэлектрической подложки.

При помощи передвижения подвижного зеркала 4 восстанавливают резонанс по максимальному сигналу на индикаторе 7. Последовательно помещают вместо вспомогательного образ ца 10 со средней толщиной подложки исследуемые образцы с толщинами подложек, отличающимися от средней.

При помощи виброустройства 9 плоскопараллельно колеблют диэлектрическую пластину 8 вдоль оси открытого резонатора 3. По величине показаний на индикаторе 7 (пиковом вольтметре) судят о сопротивлении квадрата поверхности высокоомного покрытия исследуемого образца, причем эта величина не зависит от изменения толщины диэлектрической подложки и возможных малых перемещений подвижного 4 и неподвижного 5 зеркал в процессе измерения, так как эти влияния подавляются путем непрерывной самонастройки устройства на максимальный сигнал (измерение максимального сигнала на выходе открытого резонатора), который не зависит от мешающих Факторов.

1168871

Составитель В. Чиняков

Редактор С. Саенко Техред С.Йовжий корректор Г. Решетник

Заказ 46 10/39 Тираж 748 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4