Способ контроля полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур

Способ контроля полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур, основанный на облучении образца с одной стороны импульсами электромагнитного излучения с интенсивностью I, отличающийся тем, что, с целью упрощения и повышения чувствительности, образец облучают импульсами электромагнитного излучения с такой же интенсивностью I с противоположной стороны, но сдвинутыми по фазе на 180^o, измеряют интенсивность Ф разностного сигнала рекомбинационного излучения, а годность образца определяют по величине отношения при толщине слоя d (в микронах), равной диффузионной длине и при скорости поверхностной рекомбинации на гетерогранице S₂ 10⁴ см/с, причем f(d) = K(S₁) (d - 0,4), где K(S₁) - функция скорости поверхностной рекомбинации на рабочей поверхности S₁, которая равна 3,25 при S₁ 5 10⁴ см/с, 6,6 при S₁ 10⁶ см/с и lgS₁tg 68^o при S₁ в пределах 5 10⁴ S₁ 10⁶ см/с.