Мостовой самовозбуждающийся инвертор
МОСТОВОЙ САМОВОЗВУЖЦАЮВДЙСЯ ИНВЕРТОР, содержащий первую пару транзисторов одного типа проводимости , подключенных эмиттерами к первому входному выводу инвертора, а коллекторами .- к выходным вывопам инвертора вторую пару транзисторов противоположного типа проводимости. ЬкЬ-,,-). -sK -н$н-1-V-Ч лн- . у Oi -,j r irf, подключенных эмиттерами к второму входному выводу инвертора, а коллекторами - к выходным выводам инвертора , два конденсатора перекрестной обратной связи, подключенных первыми выводами к базам транзисторов второй пары, первую пару резисторов, подключенных первыми выводами к базам первой пары транзисторов, и вторую пару резисторов, о т л и чающи йс я тем, что, с целью повьвпения КДЦ, введены третья пара транзисторов противоположного типа проводимости и пара диодов коллектор каяшого введенного транзистора соединен с вторым вывопом резистора ш первой пары эмиттер - с вторым выводом конденсатора и через диод с выходным выводом инвертора, а база через резистор второй пары - с выходным выводом инвертора. ч J ф. CO 00 /
СОЮЗ СОВП СНИХ
НВСССССВ
РЕСПУБЛИК зри Н 02 М 7/537
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ с н АВСОтсссОНН ОВссСВСВСВстВТ подключенных эмиттерами к второму входному выводу инвертора, а коллекторами — к выходным выводам инвертора, два конденсатора перекрестной обратной связи подключенных первы1
I ми выводами к базам транзисторов второй пары, первую пару резисторов, подключенных первыми выводами к базам первой пары транзисторов, и вторую пару резисторов, о т л и— ч а ю шийся тем, что, с. целью повьвиения КПД, введены третья пара транзисторов противоположного типа проводимости и пара диодов, коллектор каждого введенного транзистора соединен с вторым выводом резистора первой пары, эмиттер — с вторым выводом конденсатора и через диод— с выходным виводом йнвертора, а база через резистор второй пары - с выходным выводом инвертора.
rOCV3APCTB&IHblA КОМИТЕТ ОСО1
Ж В ° ВЮА Й (21) 3553513/24-07 (22) 15.02.83 (46) 07.10.84. Бюл. У 37 (72) В.И.Турченков (53) 621.314.58 (088.8) (56) 1. Источники электропитания на полупроводниковых приборах. Под ред.
С.Д.Додика и Е.ИВГальперина. М., "Советское радио", 1969, .с. 232, рис. V .3.
2. Патент США В 3596146, кл. Н 03 К 3/281, 1971. (54) (57) МОСТОВОЙ САМОВОЗБУЩЦАК6ф4ЙСЯ
ИНВЕРТОР, содержащий первую пару транзисторов одного типа проводимости, подключенных эмиттерами к первому входному выводу инвертора, а коллекторами - к выходным выводам инвертора вторую пару транзисторов противойоложного типа проводимости,,SU„„1117798 А
1 1117798 2
Изобретение относится к электро- ми - к выходным выводам инверт ра ора, технике и может быть использовано два конденсатора перекрестной обратв системах электропитания для пре-, ной связи, подключенных первыми вывЮобразования постоянного напряжения . дами к базам транзисторов второй пав переменное посредством транзистор- ры, первую пару резисторов, лодклюных инверторов. ченных первыми выводами к базам
Известны мостовые самовозбуждаю- первой. пары транзисторов, и вторую щиеся инверторы, содержащие четыре пару резисторов, введены третья па- транзистора и выходной многообмоточ- ра транзисторов противоположного ный трансформатор, в котором само- 1 типа проводимости и пара диодов б
О
Ф воз уждение обеспечивается с помощью коллектор каждого введенного тран- четырех обмоток положительной об- зистора соединен с вторым вьЬодом . ратной связи трансформатора (13. резистора первой пары, эмиттерНедостатками данного инвертора с вторым выводом конденсатора и чеявляются большая трудоемкость изго- рез диод — с выходным выводом инвертовления и малая надежность транс- тора, а база через резистор второй пары - с выходным выводом инвертора. форматора.
Наиболее близким к изобретению На чертеже приведена принципиальпо технической с вост ущности является ная схема предложенного инвертора. мостовой самовозбуждающийся инвертор . Транэис содержащий первую пару транзисторов имеют р-h-ð тип проводимости, а одного типа проводимости подключенt транзисторы второй пары 3 и 4 и. ную эмиттерами к первому входному третьеи пары и 6 и-р-ь тип прововыводу инвертора, а коллекторами— димости. Транзисторы 1-4 включены к вьмодн вьдам инвертораэ втору 2 йо мостовой схеме. Коденсаторы 7 пару транзисторов противоположного и 8 обРатной связи включены пере типа проводимости, подключенную эмиттерами к второму входному выводу (4) и змиттером транзистора 6 (5) инвертора, а коллекторами - к выход" через диод 9 (10) с выходным выводом ным выводам инвертора; два конденса- инвертора. Вход транзисторов 3 и 4 тора, включенные перекрестио между шунтирован резистором 11 (12). База базой транзисторов второй пары тран- транзистора 5 (6) соединена с выходзисторов и выходными выводами инвер- ным выводом инне т вер ора через резистор тора, первую пару резисторов, вклю- 13 (14), а коллектор - с базой транченных перекрестно меящу базой тран- эистора 1-(2) через резистор 15 (16). зистора первой пары и выходным выво- З> На выходе инвер б вертора может быть вклюдом инвертора, и вторую пару резис- чен.трансформатор 17. торов, включенных между базой тран- Инвертор работае отает следующим обраэистора второй пары и первым входным эом. выводом инвертора f23. е сатор заряжается по цепи:
В известном инверторе выходной 4О вход транзистора 2 -б . а, эмиттер-база и трансформатор не содержит обмоток об- эмиттер-коллектор транэис 6, ор транзистора 6, ратной связи. Однако в резисторах резистор 16, транзистор 6, вход первой и второй пары рассеиваются значительные потери мощности, что снижает КЦД инвертора. 45 торы 2 и 3 насыщают асыщаются, а транзисторы
Цель изобретения - повышение КЦЦ 1, 4, 5 заперты и к аво инвертора. заперты, и к правому выводу нагрузочного трансформатора 17 прия плюс, а к левому выво. Эта цель достигается тем, что в кладывается плюс а мостовом самовозбуждающемся инверто- ду - минус напряж апряжения источника питаре, содержащем первую пару транзисто-5О ния. Транзистор 6 открыт током базы, ров одного типа проводимости, проходящим через резистор 14. подключенных эмиттерами к первому В течение вр ие времени заряда кондент разряд конденвходному выводу инвертора, а коллек- сатора 7 происходит а торами - к выходным выводам инверто- сатора 8 по цели 9, цели: диод,,коллекторра, вторую пару транзисторов проти- H эмиттер насыщенног е ного транзистора 3, воположного типа проводимости под- резистор 12 При
1 ри этом на резисторе ключенных эмнттерами к второму вход- 12 создается падение напряжения, ному выводу инвертора, а коллектора-, активно эапира ающее транзистор 4,.
Составитель В.Монн
Техред Ж. Кастелевич Корректор E-Capone
Редактор Т.Кугрышева
Заказ 7273/41 Тираж 666 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, %-35,:Раушская наб., д.4/5
Филиал ПЙП "Патент" r. Ужгород, ул. Проектная, 4
3 1117 что обеспечивает уменьшение его неуправляемого тока и повышает КПД.
Постоянная времени разряда конденсаторов 8 и 7 устанавливается меньшей, чем постоянная времени их заряда, т.е..так, чтобы за время заряда одного конденсатора другой успевал разрядиться.
По мере заряда конденсатора 7
его ток уменьшается. При достижении током заряда конденсатора 7 такой величины, при которой транзистор 3 переходит из режима насыщения в активный режим (при этом транзистор 2 еще остается в режиме насыщения, что легко достигается, установкой соответствующего сопротивления резистора 11, которое шунтирует базоэмиттер транзистора 1).
При переходе транзистора 3 в активный режим. напряжение на его коллекторе повышается за счет проте798 4 кающего через транзистор 2 и нагрузку тока. Ток через резистор 13 втекает в базу транзистора 5, в связи, с чем он приоткрывается, и через базы транзисторов 1 и 4 начинают протекать токи, что приводит к релаксационному отниранию транзисторов
1, 4, 5 и их насыщению. После этого начинается разряд конденсатора 7
:и занирание транзисторов 2, 3, 6..
При этом к правому выводу трансформатора 17 прикладывается минус, а к левому - nmoc напряжения источника питания.
Далее процессы протекают анало,гично описанным. Схема обладает свойством жесткого самовозбуждения.
Вазовый ток одновременно открытых по диагонали моста транзисторов проходит только через один резистор !
5 (16). что по отношению к известному устройству повышает КПД.


