Силовой быстровосстанавливающийся диод

Авторы патента:

H01L29/86 - управляемые только изменением электрического тока или электрического потенциала, приложенного к одному или нескольким электродам, по которым проходит выпрямляемый, усиливаемый, генерируемый или переключаемый ток (H01L 29/96 имеет преимущество)

H01L29/36 - отличающиеся концентрацией или распределением примесей

Силовой быстровосстанавливающийся диод, содержащий в базовой области рекомбинационную примесь, концентрация которой уменьшается от эмиттера вглубь базы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коммутационного перенапряжения и обратного тока утечки при сохранении нагрузочных характеристик в проводящем состоянии, в качестве рекомбинационной примеси вводят платину, распределение концентрации которой удовлетворяет следующим условиям: ; 0,3 N_B N_pt(x_j) N_B, где N_pt(x_j) концентрация атомов платины в базовой области у p-n-перехода; N_pt(w) концентрация атомов платины в конце базовой области; N_B концентрация основных носителей в базе.

Полупроводниковый генератор // 782641

Силовой диод // 705567

Полупроводниковый диод // 605491

Изобретение относится к полупроводниковым диодам, предназначенным для умножения частоты

Гетерогенный пленочный р—л-переход // 166965

Плоскостной полупроводниковый диод с тонкой базой // 119271

Полупроводниковый стабилитрон // 546046

Полупроводниковый прибор // 360800

Патент 190489 // 190489

Мощный полупроводниковый резистор и способ его изготовления // 2206146

Полупроводниковый элемент и способ его изготовления // 2274929

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники

Туннельный полевой нанотранзистор с изолированным затвором // 2354002

Изобретение относится к области наноэлектроники

Мдп-транзистор // 1355061

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано в интегральных схемах, пригодных для работы в широком температурном диапазоне в том числе и при сверхнизких (до 4,2 К) температурах и малых напряжениях

Генератор электромагнитных колебаний свч и квч диапазонов // 2113743

Способ переключения высоковольтных полупроводниковых структур ключевого типа (варианты) // 2113744

Изобретение относится к области полупроводниковой техники, а именно к способам переключения высоковольтных полупроводниковых структур ключевого типа, используемых в лазерной, ускорительной, локационной технике и т.п., а также в ряде областей преобразовательной техники

Полупроводниковый прибор // 2139599

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов

Полупроводниковый прерыватель тока // 2156014

Изобретение относится к силовым полупроводниковым приборам и может быть использовано для генерирования мощных наносекундных импульсов высокого напряжения в схемах с индуктивным накопителем и прерывателем тока

Низковольтный термокомпенсированный стабилитрон и способ его изготовления // 2162622

Изобретение относится к термокомпенсированным стабилитронам - полупроводниковым приборам, предназначенным для жесткой стабилизации рабочего напряжения в радиоэлектронной аппаратуре в условиях изменяющейся температуры окружающей среды

Полупроводниковый выпрямительный диод (варианты) // 2168799

Изобретение относится к области электронной техники, в частности, к конструированию и технологии изготовления выпрямительных полупроводниковых диодов с p-п переходами, и может быть использовано в электронной промышленности

Лавинно-пролетный диод (варианты) // 2168800

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к конструированию и технологии изготовления лавинно-пролетных полупроводниковых диодов, и может быть использовано в электронной промышленности, в радиотехнике в качестве активных элементов генераторов и усилителей СВЧ

Высоковольтный диод с резким восстановлением обратного сопротивления // 2197034