Способ получения омического контакта металла с кремнием

 

М 118909 .Класс 21g, 13,1

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

В. Г. Мельник и И. Г. Мельник

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА МЕТАЛЛА

С КРЕМНИЕМ

Заявлено 17 февраля 1958 г. за № 592463/26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» ¹ 7 за 1959 г.

Известные способы создания омического контакта кремния с металлом заключаются в гальваническом нанесении таких металлов как никель, медь, золото и др. непосредственно на поверхность кремния.

Омические контакты, полученные таким путем, имеют, как правило, большое переходное сопротивление и малую механическую прочность.

Предлагаемый способ позволяет получить контакт с малым переходным сопротивлением и высокой механической прочностью.

Для этой цели на поверхность кремния наносят, например, методом конденсации из газовой фазы в вакууме слой германия, который покрывают слоем металла контакта, например никелем.

Создание омического контакта с кремнием осуществляется следующим образом, В вакууме порядка 10 мм Hg на нагретый до 550 кремний, предварительно протравленный в смеси плавиковой и азотной кислот (1: 1), конденсируется испаряемый германий.

Затем испарение прекращается и температура кремния повышается до 700 — 750 и при этой температуре выдерживается 10 мин.

Нагревание кремния осуществляется излучением от ленточного молибденового нагревателя, помещенного над кремнием.

После охлаждения и извлечения из вакуумной установки на полученный на кремнии слой германия гальванически наносится никель.

В случае кремния р-типа для испарения применяются р-германий или же германий со слабо выраженной электронной проводимостью.

В случае кремния и-типа наносится германий с резко выраженной электронной проводимостью. № 118909

Предмет из обретения

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Редактор Л. А. Блатова Гр. 97

Поди. к печ. 31.1И-59 и, Тираж 920 Цена 25 коп.

Информационно-издательский отдел.

Объем 0,17 п. л. Зак. 2031

Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Петровка, 14.

Способ получения омического контакта металла с кремнием для кремнйевых полупроводниковых приборов, отличающийся тем, что для получения контакта с малым переходным сопротивлением и с высокой механической прочностью на поверхность кремния наносят, например, методом; конденсации из газовой фазы в вакууме слой германия который покрывают слоем металла контакта, например никелем.

°

Способ получения омического контакта металла с кремнием Способ получения омического контакта металла с кремнием 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа)

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к электронной технике, более конкретно - к технологии производства интегральных схем (ИС) на кремнии, и может быть использовано для изготовления выпрямляющих и омических контактов к мелкозалегающим p-n переходам и межсоединений

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и их электродов

Изобретение относится к плазменной технологии производства изделий микроэлектроники и может быть использовано для процесса металлизации структур с субмикронными размерами элементов

Изобретение относится к области электронной техники, микроэлектроники и может быть использовано для формирования поверхностных омических контактов в тонкопленочных полевых транзисторах, элементах памяти, солнечных элементах на барьере типа Шоттки и др
Наверх