Способ изготовления оксидно-полупроводникового конденсатора
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КОНДЕНСАТОРА , включающий анодное окисление алюминиевого объемно-пористого анода и нанесение на него слоев оксида марганца, отличающийся тем, что, с целью повышения номинальной емкости конденсатора , после нанесения слоев оксида марганца алюминиевый объемно-пористый анод пропитывают в 25-30% -ном растворе метил-фенил-полисилоксана в неполярном растворителе в течение 5-10 мин с последующей выдержкой при 100°С в течение 1520 мин.
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
„,SU„„1081685 А @11 Н 01 G 9/24
Г ":;-. „
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ /" -,.
К ABTOPCKOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ . " ... " : ::, / (21) 3526535/18-21 (22) 24.1 .82. (46) 23.03.84. Бюл. № 11 (?2) Т. А. Лозовик и В. П. Малиненко (71) Петрозаводский государственный университет им. О. В. Куусинена (53) 621.319.4 (088.8) (56) 1, Патент Японии № 54-19576, кл. 59 Е 3124, 1979.
2. Патент США М 4160284, кл. 361-433, 1981 (прототип) (54) (57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КОНДЕНСАТОРА, включающий анодное окисление алюминиевого объемно-пористого анода и нанесение на него слоев оксида марганца, отличающийся тем, что, с целью повышения номинальной емкости конденсатора, после нанесения слоев оксида марганца алюминиевый объемно-пористый анод пропитывают в 25-30% -ном растворе метил-фенил-полисилоксана в неполярном растворителе в течение 5-10 мин с последующей выдержкой при 100 С в течение 1520 мин.
1081685 в течение 5-10 мин с последующей выдержкой при 1000 С в течение 15-20 мин, Пример. Секцию окисленных анодов с нанесенным слоем оксида марганца пропитывают в ванне с 30о/в-ным раствором метил-фенил-полисилоксана в бензоле в течение 5 мин, затем высушивают при
100 С для удаления растворителя и образования переходной полимерной пленки
15-20 мин. После получения однородной
1О пленки наносят графитосодержащее покрытие по известной технологии.
В таблице приведены результаты измерений электрических характеристик готовых конденсаторов с использованием полисилоксанового покрытия и без него.
20
С поли25 мерным покры30+6
10+3
36+3 6+1 тием
Контроль30
35+8
11+5 партия 22+4 18+4
Изобретение относится к электротехнике и предназначено для, использования при изготовлении алюминиевых оксидно-полупроводниковых конденсаторов.
Известен способ получения переходного металлического слоя катодной обкладки конденсатора, при котором наносят слой из сплава Рв, Sn 0,05-30 мас. /о Zn с добавкой других металлов (например, SB, А1, Ti, Si, Cu) непосредственно на твердый электролит из двуокиси марганца при погружении анодов в ванну с жидким сплавом при одновременном воздействии на ванну вибрацией (1).
Однако такой способ не улучшает конечные электрические параметры готовых алюминиевых конденсаторов.
Наиболее близким к изобретению по технической сущности является способ изготовления оксидно-полупроводникового конденсатора, включающий окисление алюминиевого объемно-пористого анода и нанесение слоев двуокиси марганца (2).
Однако при известном способе наряду с уменьшением переходного сопротивления происходит значительное уменьшение емкости и возрастание токов утечки готовых конденсаторов, и конденсаторы, изготовляемые по данному способу, являются дорогостоящими из-за применения серебросодержащей пасты.
Цель изобретения — повышение номинальной емкости конденсатора.
Цель достигается тем, что согласно способу изготовления оксидно-полупроводникового конденсатора, включающему окисление алюминиевого объемно-пористого анода и нанесение слоев оксида марганца, после нанесения слоев оксида марганца алюминиевый объемно-пористь|й анод пропитывают в 25-30 о-ном растворе метил-фенилполисилоксана в неполярном растворителе
Использование предлагаемого способа позволяет повысить номинальную емкость конденсаторов и снизить диэлектрические потери.
Составитель А. Салынский
Редактор И. Николайчук Техред И. Верес Корректор В. Бутяга
Заказ 1556 46 Тираж 683 .Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР. по делам изобретений и открытий
113035, Москва, )K — 35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП «Патент», r. Ужгород, ул. Проектная, 4

