Сегнетоэлектрический элемент памяти
СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ, содержащий две пластины сег нетокерамического материала, на первую из которых нанесены общий элект- . род и. входной электрод, а на вторую два выходных электрода, о т л и ч аю щ и. и с я тем, что, с целью снижения энергопотребления элемента памя ти, в него введенц дополнительная пластина сегнетокёрамического материала, расположенная на общем электроде ,, и два дополнительных обЩих электрода, нанесенных на дополнительную пластину сегнетокерамического материала, а вторая пластина сегнетокерамического материала расположена на двух дополнительных общих электродах .
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧНИИХ
РЕСПУБЛИК
МЯ) 6 11 С 11 22
ГОСУДАРСТОЕННЫИ КОМИТЕТ СССР
00 ДЕЛАЮ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТМЙ
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Ф с
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕХЗЬС ГВУ (21) 3490949/18-24 (22 ) 10.09.82 (46) 30.11,83. Бюл. М 44 (72) В.С.Никандров (53) 681.327(088.8) (56) 1. 1ЕЕЕ, ED-18, 1Р71, В 10 р. 951-958.
2.. Авторское свидетельство СССР
В 514340, кл. 0 11 С 11/22, 1976 (прототип).. .(54)(57) СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЯ ЭЛЕМЕНТ
ПАМЯТИ, содержащий две пластины сегнетокерамического материала, на первую иэ которых нанесены общий электрод и, входной электрод, а на вторую— два выходных электрода, о т л и ч а-. ю щ и. и с я тем, что, с целью снижения энергопотребления элемента памяти, в него введены дополнительная пластина сегнетокерамического материала; расположенная на общем электроде, и два дополнительных общих электрода, нанесенных на дополнительную пластину сегнетокерамического материала, а вторая пластина сегнетокерамического материала расположена на двух дополнительных общих электродах.
1057987
Составитель В. Костин
Редактор О. Сопко ТехредМ.Костик Корректор A. Ференц
Заказ 9586/53 Тираж 594 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 д
Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4
Изобретение относится к вычисли тельной технике и может быть использовано в запоминающих, устройствах . вычислительных машин.
Известен элеменr памяти, содержащий две жестко связанные по общей плоскости сегнетокерамические пластины, из которых одна является входной секцией элемента памяти, имеющей. неизменное направление вектора поряризации и служащей для опроса информа- 30 ,ции. Эта пластина изготовлена из горячепрессованной пьезокерамики толщиной 230 мкм, Вторая пластина является выходной секцией элемента памяти, несущей на свободной поверхности один или более электродов, направление вектора полярности под кото.рыми изменяется в соответствии с заданным .кодом информации, и служит для хранения информации. Эта пластина имеет толщину 60 мкм $1) . . Недостатком устройства является неудовлетворительное энергопотребление, обусловленное высокими напряже ниями для записи информации.
Наиболее близким по .технической сущности к предлагаемому является . элемент памяти, содержащий две cегнетокерамические пластины. толщиной
100 мкм соединенные по общему электроду f2 . 30
Однако известное устройство характеризуется также высоким энергопот- . реблением. в связи с.тем, что напряжение записи равно 150 В. .Цель изобретения — снижение 35 э нергопот ребления сегнетоэлек трического элемента памяти °
Поставленная цель достигается тем, ; то в сегнетоэлектрический элемент памяти, содержащий две пластины сегнетокерамического материала, на первую из которых нанесены общий электрод и входной электрод, а на вторую — два выходных электрода, .введены дополнительная пластина сегне45 токерамического материала, расположенная на общем электроде, и два дополнительных общих электрода, нанесенных на дополнительную пластину сегнетокерамического материала, а вторая пластина сегнетокерамическо-. го материала расположена на двух дополнительных общих электродах.
На чертеже показан сегнетоэлектрический элемент памяти, поперечный разрез.
Элемент содержит две пластины 1 и 2 сегнетокерамическОго материала, дополнительную пластину 3 сегнетокерамического материала, общий электрод 4, выходные электроды 5, дополнительные общие электроды 6 и входной электрод 7.
Элемент работает следующим обра-, зом.
Пластина 1 служит для возбуждения в пластинах 2 и 3 механических напряжений. Входное напряжение записи подается на электроды 4 и 7, причем электрод 4 может быть заземлен. Пластина 3 служит для записи информации.
На электрод 4 подают .положительный потенциал импульса записи, а на электрол 6 - отрицательный потенциал импульса записи для записи "1", Для записи.в пластину 3 кода "0" положительный. потенциал импульса записи подают на электрод 6, а отрицательный потенциал — на электрод 4..
Направление векторов поляризации в пластинах 1 и 2 остается постоянным, При считывании информации на электроды 4 и 7 подается испульс опроса, выходное напряжение снимается с электродов 4 и 5.
Испытание сегнетоэлектрического элемента памяти показывает, что напряжение записи может быть уменьшено до 15 В при выходном сигнале считывания не менее 200 мВ, что существенно снижает энергопотребление элемента памяти.
