Модуль оперативной памяти

 

Заявленная полезная модель относится к области компьютерной техники и может быть использована при проектировании серверных платформ с высокой удельной плотностью компоновки системы, предназначенных для проведения высокопроизводительных вычислений и компьютерного моделирования. Модуль памяти, содержащий множество микросхем памяти размещенных на одной поверхности печатной платы и соединенных с соединительными разъемами, расположенными на печатной плате и образующих каналы памяти, при этом центры микросхем памяти одного канала расположены на одной прямой линии, параллельной прямым линиям, на которых расположены центры микросхем памяти других каналов памяти, и параллельной двум внешним поверхностям каждого соединительного разъема, которые размещены на поверхности платы противоположной поверхности, на которой размещены микросхемы памяти.

Заявленная полезная модель относится к области компьютерной техники и может быть использована при проектировании серверных платформ с высокой удельной плотностью компоновки системы, предназначенных для проведения высокопроизводительных вычислений и компьютерного моделирования.

Известен модуль памяти, содержащий множество микросхем памяти размещенных на одной поверхности печатной платы, при этом указанные микросхемы соединены с соединительными разъемами, расположенными на боковых сторонах печатной платы (Публикация US 2007047377 A1, кл. МПК G11С 8/00, опубл. 01.03.2007 г.)

Недостатком указанной платы является то, что расположение разъемов на боковых сторонах далеко не всегда позволяет компактно разместить модуль памяти в серверной платформе с высокой удельной плотностью компоновки системы.

Техническим результатом, который может быть получен в заявленной полезной модели, является создание модуля памяти, который будет компактно размещен в серверной платформе с высокой удельной плотностью компоновки системы при сохранении быстродействия системы.

Технический результат достигается тем, чти в модуле памяти, содержащем множество микросхем памяти размещенных на одной поверхности печатной платы и соединенных с соединительными разъемами, расположенными на печатной плате, множество микросхем памяти образуют каналы памяти, при этом центры микросхем памяти одного канала расположены на одной прямой линии, параллельной прямым линиям, на которых расположены центры микросхем памяти других каналов памяти, и параллельной двум внешним поверхностям каждого соединительного разъема, которые размещены на поверхности платы противоположной поверхности,, на которой размещены микросхемы памяти, кроме того, один канал памяти соединен с одним соединительным разъемом, при этом длина соединительных элементов, соединяющих микросхемы памяти одного канала памяти с одним соединительным разъемом, одинакова.

Заявленная полезная модель поясняется при помощи схем приведенных на фиг.1-3.

При этом на фиг.1 представлен вид поверхности, на которой размещены микросхемы памяти модуля памяти;

на фиг.2 представлен вид поверхности, на которой размещены соединительные разъемы модуля памяти;

на фиг.3 представлен вид сбоку модуля памяти.

Модуль памяти состоит из печатной платы 1, на одной поверхности которой размещено множество микросхем 2 памяти, а на противоположной поверхности печатной платы 1 размещены соединительные разъемы 3.

Множество микросхем 2 памяти образуют каналы памяти. При этом каждый канал памяти образован микросхемами 2 памяти, расположенными в один ряд на поверхности печатной платы 1 таким образом, что центры микросхем 2 памяти одного канала расположены на одной прямой линии, параллельной прямым линиям, на которых расположены центры микросхем 2 памяти других каналов памяти, и параллельной двум внешним поверхностям каждого соединительного разъема 3. Кроме того, один канал памяти соединен только с одним соединительным разъемом 3, а длина соединительных элементов (на фиг.1-3 не показаны), соединяющих микросхемы 2 памяти одного канала памяти с одним соединительным разъемом 3, одинакова.

При таком расположении соединительных разъемов 3, модуль памяти присоединяется к ответному устройству как плоская пластина и практически не занимает места при таком компактном расположении.

Заявленный модуль памяти реализуется следующим образом.

Во время работы серверной платформы, предназначенной для проведения высокопроизводительных вычислений и компьютерного моделирования, микросхемы 2 памяти функционируют при тактовой частоте до 1333 МГц. Для обеспечения функционирования при тактовой частоте достигающей 1333 МГц, длина соединительных элементов, соединяющих микросхемы 2 памяти одного канала памяти с одним соединительным разъемом 3, должна быть одинакова, в противном случае, могут происходить серьезные сбои в работе всего модуля памяти.

При тактовой частоте достигающей 1333 МГц происходит интенсивный нагрев микросхем 2 памяти. Для улучшения охлаждения обдувом модуля памяти, его наиболее нагретые поверхности, которыми являются поверхности микросхем 2 памяти, обращены от поверхности устройства, с которым соединены соединительные разъемы 3. Кроме того, расположение микросхем 2 памяти в параллельных каналах памяти позволяет воздушным потокам интенсивно обдувать нагретые поверхности модуля памяти, тем самым охлаждая их до нормальной рабочей температуры и позволяет серверной платформе работать с требуемым быстродействием.

Таким образом, за счет того, что множество микросхем памяти образуют каналы памяти, при этом центры микросхем памяти одного канала расположены на одной прямой линии, параллельной прямым линиям, на которых расположены центры микросхем памяти других каналов памяти, и параллельной двум внешним поверхностям каждого соединительного разъема, которые размещены на поверхности платы противоположной поверхности, на которой размещены микросхемы памяти, модуль памяти компактно размещен в серверной платформе с высокой удельной плотностью компоновки системы при сохранении быстродействия системы.

1. Модуль памяти, содержащий множество микросхем памяти, размещенных на одной поверхности печатной платы и соединенных с соединительными разъемами, расположенными на печатной плате, отличающийся тем, что множество микросхем памяти образуют каналы памяти, при этом центры микросхем памяти одного канала расположены на одной прямой линии, параллельной прямым линиям, на которых расположены центры микросхем памяти других каналов памяти, и параллельной двум внешним поверхностям каждого соединительного разъема, которые размещены на поверхности платы противоположной поверхности, на которой размещены микросхемы памяти.

2. Модуль памяти по п.1, отличающийся тем, что один канал памяти соединен с одним соединительным разъемом.

3. Модуль памяти по п.1, отличающийся тем, что длина соединительных элементов, соединяющих микросхемы памяти одного канала памяти с одним соединительным разъемом, одинакова.



 

Наверх