Кристаллодержатель полупроводникового прибора
Кристаллодержатель полупроводникового прибора предназначен для производства мощных бескорпусных транзисторов и может быть использован в радиоэлектронных и электротехнических изделиях.
Основной технической задачей является создание конструкции позволяющей значительно увеличить полезную площадь полупроводникового прибора (отношение площади посадочного места полупроводниковой структуры к общей площади полупроводникового прибора) с целью обеспечения более плотного поверхностного монтажа на печатную плату.
Данная задача достигнута тем, что конструктивно Кристаллодержатель выполнен в виде двух зон: зоны посадки полупроводниковой структуры и компактной зоны внешних выводов, смонтированных на узкой керамической подложке.
Кристаллодержатель содержит: молибденовый держатель 1, теплоотводящую вставку 2, керамическую подложку 3, две коваровые контактные накладки 4 с припаянными к ним двумя выводными вставками 5.
Полезная модель представляет собой кристаллодержатель полупроводникового прибора, предназначенный для размещения на нем полупроводниковых структур, и может быть использована при производстве полупроводниковых приборов под поверхностный монтаж на печатные платы электронных и электротехнических изделий.
Конструкции корпусов полупроводниковых приборов подобного типа, предназначенные для поверхностного монтажа на печатные платы, как правило состоят из керамического основания корпуса, с размещенным на его поверхности посадочным местом под полупроводниковую структуру с несколькими контактными площадками внешних выводов и крышки корпуса, предназначенной для герметизации полупроводникового прибора в целом.
Прототипом предполагаемой полезной модели являются корпуса типа SHD - 6, SMD - 2, SMD - 1, площадь конструкций которых можно условно разделить на три зоны: зону посадки полупроводникового кристалла, зону
внешних выводов и зону под герметизацию кристалла, причем полезной площадью полупроводникового прибора считается только зона посадки полупроводникового кристалла. Одним из недостатков этих корпусов является низкий коэффициент полезного использования их площади. Как правило, отношение площади посадочного места под полупроводниковую структуру к площади корпуса находится в пределах К=0,24÷0,38.
Основной технической задачей предлагаемой полезной модели является увеличение коэффициента полезного использования площади корпуса полупроводникового прибора в 1,5÷2 раза с целью обеспечения более плотного поверхностного монтажа на печатные платы.
Данная задача достигается тем, что предлагается более компактная конструкция кристаллодержателя, состоящего из двух рабочих зон, зоны посадки полупроводниковой структуры и зоны внешних выводов, соединенных между собой торцевым спаем.
Зона посадки полупроводниковой структуры включает в себя молибденовый держатель, напаянный на теплоотводящую вставку, обладающую высокой теплопроводностью и низким коэффициентом термического линейного расширения (КТЛР), например, из псевдосплава МД-40
Зона внешних выводов включает в себя керамическую подложку с закрепленными на ее поверхности двумя металлическими контактными накладками, обладающими низким КТЛР, например, из сплава 29НК или 42Н и имеющими электрическую связь с противоположной стороной керамической подложки посредством впаянных в сквозные отверстия последней, медных выводных вставок.
Керамическая подложка изготавливается в виде узкой полоски с двумя сквозными отверстиями и как минимум с тремя полями металлизации. Сквозные отверстия располагаются по краю одной из длинных сторон, а вокруг их контура и на образующую поверхность наносится металлизация, позволяющая надежно закрепить на поверхности подложки контактные металлические накладки с напаянными медными вставками. Третье поле металлизации нанесенное на противоположный от отверстий край длинной стороны и смежную торцевую поверхность подложки, позволяет обеспечить
надежный торцевой спай керамической подложки с молибденовым держателем и теплоотводящей вставкой.
Меняя размеры молибденового держателя, теплоотводящей вставки и керамической подложки можно получать широкий ряд кристаллодержателей под сборку полупроводниковых приборов позволяющих осуществлять более плотный поверхностный монтаж печатных плат.
На фиг.1 показан общий вид кристаллодержателя. Кристаллодержатель содержит молибденовый держатель 1, теплоотводящую вставку 2, керамическую подложку 3, две коваровые накладки 4, с припаянными к ним двумя выводными вставками 5. Собирается Кристаллодержатель в специальной групповой кассете с последующей одновременной вакуумной пайкой всех входящих компонентов.
Кристаллодержатель полупроводникового прибора, состоящий из прочно спаянных между собой молибденового держателя, теплоотводящей вставки и керамической подложки с напаянными на ее поверхность двумя накладками с выводными вставками, обеспечивающими электрическую связь с противоположной стороной, отличающийся тем, что в предлагаемой конструкции исключена зона под герметизацию, а керамическая подложка, образующая зону внешних выводов, изготавливается в виде узкой полосы и крепится к торцевой поверхности спая молибденового держателя и теплоотводящей вставки.
