Электронное устройство следящей системы

 

Электронное устройство следящей системы, содержащее предварительный усилитель, фазовый демодулятор, выходной усилитель, отличающееся тем, что в него введены электронный генератор, диод, резистивный делитель, первый и второй резисторы мостовой схемы дифференциального емкостного преобразователя, электронный генератор выполнен как мультивибратор на первом операционном усилителе, фазовый демодулятор выполнен на полевом транзисторе, предварительный усилитель содержит первый усилитель переменного тока на втором операционном усилителе, второй усилитель переменного тока на третьем операционном усилителе и суммирующий усилитель на четвертом операционном усилителе, выходной усилитель выполнен в составе предварительного усилителя постоянного тока на пятом операционном усилителе и усилителя мощности, выполненного по двухтактной схеме на первом n-p-n транзисторе и первом p-n-p транзисторе, выходы первого и второго усилителей переменного тока подключены к входам суммирующего усилителя, к выходу суммирующего усилителя подключены сток полевого транзистора и вход предварительного усилителя постоянного тока, к выходу электронного генератора подключены резистивный делитель и анод диода, к катоду которого подсоединен затвор полевого транзистора, первые выводы первого и второго резисторов соединены вместе и подключены к выходу резистивного делителя, второй вывод первого резистора подсоединен к входу первого усилителя переменного тока, второй вывод второго резистора подключен к входу второго усилителя переменного тока, электронное устройство следящей системы выполнено с подключением к источнику питания постоянного тока с выходами положительного и отрицательного потенциалов относительно выхода нулевого потенциала, исток полевого транзистора подключен к выходу нулевого потенциала, введено устройство защиты от перегрузки по току, содержащее третий резистор, второй n-p-n транзистор, второй p-n-p транзистор, первый вывод третьего резистора подключен к точке соединения эмиттера первого n-p-n транзистора с эмиттером первого p-n-p транзистора и к точке соединения эмиттера второго n-p-n транзистора с эмиттером второго p-n-p транзистора, коллектор второго n-p-n транзистора соединен с базой первого n-p-n транзистора, коллектор второго p-n-p транзистора подключен к базе первого p-n-p транзистора, второй вывод третьего резистора подключен к базам второго n-p-n транзистора и второго p-n-p транзистора, операционные усилители, подключенные к их выводам конденсаторы, диод, полевой транзистор, первый и второй n-p-n транзисторы, первый и второй p-n-p транзисторы, третий резистор применены в бескорпусном исполнении, на подложке из ситалла по интегральной технологии выполнена топология соединений электронного устройства следящей системы, методом напыления резистивного сплава выполнены первый и второй резисторы, подключенные к выводам операционных усилителей входные и выходные резисторы, резисторы резистивного делителя и резисторы обратной связи, на подложке установлены подключенные к выводам операционных усилителей конденсаторы, диод, полевой транзистор, второй n-p-n и второй p-n-p транзисторы, на пьедесталах из ситалла на подложке установлены операционные усилители, первый n-p-n и первый p-n-p транзисторы, третий резистор, при этом первый n-p-n и первый p-n-p транзисторы установлены на одном пьедестале каждый на металлизированную площадку, на подложке путем напыления слоя алюминия выполнены контактные площадки, подложка прикреплена посредством клеевого соединения к основанию, в котором установлены гермовыводы, посредством золотых проводников контактные площадки соединены с гермовыводами и выводами операционных усилителей, транзисторов, конденсаторов, диода, третьего резистора, полевого транзистора, одна контактная площадка соединена с первыми выводами первого и второго резисторов и с выходом резистивного делителя, вторая контактная площадка соединена с вторым выводом второго резистора и с первым гермовыводом, предназначенным для подключения в мостовую схему дифференциального емкостного преобразователя, третья контактная площадка соединена с вторым выводом первого резистора и с вторым гермовыводом, предназначенным для подключения в мостовую схему дифференциального емкостного преобразователя, третий гермовывод предназначен для подключения к выходу нулевого потенциала источника питания постоянного тока, четвертый гермовывод предназначен для подключения к выходу положительного потенциала источника питания постоянного тока, пятый гермовывод предназначен для подключения к выходу отрицательного потенциала источника питания постоянного тока, четвертая контактная площадка соединена с вторым выводом третьего резистора и с шестым гермовыводом, предназначенным для подключения нагрузки к электронному устройству следящей системы, на основание установлена крышка чашеобразной формы, основание и крышка выполнены из ковара и соединены сварным швом, выполненным посредством лазерной сварки.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к преобразовательной технике и может быть использовано, в основном, для получения радиочастотного магнитного поля в катушках индуктивности устройств переворота спина поляризованных нейтронов при физических исследованиях, где используются нейтронные пучки

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении полевых транзисторов с субмикронным барьером Шоттки на арсениде галлия
Наверх