1. Установка для геттерирующей обработки полупроводниковых пластин, содержащая: средство транспортировки с установочными площадками для подачи обрабатываемых пластин в зону обработки; устройство распыления, которое размещено оппозитно зоне обработки и включает, по меньшей мере, средство распыления; насосную станцию, которая содержит, по меньшей мере, резервуар для формирования жидкофазной технологической смеси и насос для ее подачи в зону обработки, отличающаяся тем, что установка снабжена программируемыми приводами, один из которых установлен с возможностью передачи рабочего хода транспортному средству, а другой - с возможностью обеспечения осциллирующего движения устройству распыления, при этом средство транспортировки выполнено в виде рабочего стола карусельного типа, а устройство распыления установлено с возможностью осцилляции относительно зоны обработки с амплитудой, соответствующей диаметру обрабатываемой пластины и выполнено с дозатором-накопителем смеси капельного типа, который расположен перед средством распыления, кроме того, насос выполнен со средствами перемешивания технологической смеси.
2. Установка по п.1, отличающаяся тем, что средства фиксации и базирования обрабатываемых пластин на установочных площадках рабочего стола выполнены в виде вакуумного присоса.
3. Установка по п.1 отличающаяся тем, что средства фиксации и базирования обрабатываемых пластин осуществлены посредством поверхностного натяжения жидкой фазы, размещенной между взаимообращенными поверхностями упомянутых пластин и установочных площадок.
4. Установка по любому из пп.1-3, отличающаяся тем, что насос упомянутой насосной станции выполнен с двумя нагнетательными отверстиями, а средство для формирования жидкофазной технологической смеси выполнено в виде трубки с радиальными отверстиями, которая расположена в нижней части резервуара и подсоединена к одному из нагнетательных отверстий насоса.
5. Установка по любому из пп.1-4, отличающаяся тем, что средство для формирования жидкофазной технологической смеси выполнено в виде крыльчатки, расположенной в нижней части насоса упомянутой насосной станции.
6. Установка по любому из пп.1-5, отличающаяся тем, что базовая поверхность установочных площадок выполнена диэлектрической.
