Установка для улучшения свойств полупроводниковых изделий методом гамма-обработки
Полезная модель относится к устройствам радиационной обработки полупроводниковых изделий. Технический результат - равномерное облучение полупроводниковых изделий под действием гамма облучения с использованием отработанных стержней системы управления и защиты в качестве источника излучения. Предложенная установка отличается от аналогов тем, что в качестве источника гамма излучения используются отработанные стержни органов регулирования ядерных реакторов, которые расположены вокруг облучаемого изделия так, чтобы изделие облучалось равномерно.
Полезная модель относится к устройствам радиационной обработки полупроводниковых изделий.
Проникающая радиация вызывает в полупроводниках и полупроводниковых приборах не только радиационные повреждения, приводящие их в негодность, а во многих случаях радиация может служить эффективным технологическим инструментом, который позволяет получать качественные полупроводниковые материалы, существенно усовершенствовать и удешевить производство многих типов полупроводниковых приборов, улучшить их качество, а также экономить дорогостоящих легирующих элементов, используемых при их производстве (Радиационные эффекты в технологии полупроводниковых материалов и приборов авт. Ф.п.Коршунов, Ю.В.Богатырев, С.Б.Ластовский, И.Г.Марченко, Н.Е.Жданович. Статья в сборнике актуальные проблемы физики твердого тела, Минск 2003). В технологических процессах изготовления полупроводниковых приборов перспективно использование большинства видов проникающих излучений: быстрых электронов, гамма-квантов, нейтронов, протонов, альфа-частиц и др.
Применение радиации в технологических процессах базируется на радиационных эффектах, которые они вызывают в полупроводниках и структурах с p-n-переходами. Это, главным образом, радиационные эффекты: эффекты смещений, ядерные превращения, ионизационные эффекты.
Принцип работы установки основывается на радиационных эффектах, вызываемых в полупроводниках гамма излучением.
В патенте RU 2262144 описывается гамма-установка для радиационного облучения блочных объектов. Установка для радиационного облучения блочных объектов содержит камеру облучения с изотопными источниками излучения в облучателе, систему перемещения облучателя и объекта облучения в виде подвесного толкающего конвейера, систему управления и радиационной защиты. Изотопные источники в камере облучения помещены в два плоскостных облучателя, которые смонтированы параллельно друг другу с возможностью последовательного свободного прохождения блоков с объектом облучения вдоль всех сторон облучателя с обеспечением двухстороннего облучения.
В патенте RU 109315 предложена гамма-установка с измеряющейся геометрией облучателя для радиационной обработки объектов. Гамма-установка для радиационной обработки объектов, содержащая облучатель, сформированный из трубчатых элементов - кассет с источниками излучения, закрепленных на траверсе (раме), матрицу детекторов, расположенную параллельно облучателю, привода перемещения облучателя, систему управления и радиационную защиту с хранилищем облучателя, причем облучатель прямоугольной формы выполнен секционно и снабжен электромеханическими фиксаторами положения секций облучателя, а фиксаторы связаны электрически с приводом облучателя через блок управления с возможностью выведения в положение облучения или хранения любой отдельной секции или всего облучателя с фиксацией в заданном положении для формирования заданного дозного поля облучаемого объекта, отличающаяся тем, что облучатель установки выполнен из отдельных имеющих возможность вращения на 360° как по часовой, так и против часовой стрелки, секций с автономными приводами подъема, вращения и сканирования, а фиксаторы положений секций имеют возможность фиксировать секции под любым углом относительно передней и задней грани обрабатываемого объекта.
К недостаткам предложенных гамма-установок относится неравномерность облучения полупроводниковых изделий и сложность конструкции.
Предложенная схема установки для улучшения свойств полупроводниковых изделий изображена на фиг.1, А - вид сбоку, В - вид спереди. Установка состоит из корпуса радиационной защиты 1, в котором находятся закрепленные отработанные стержни системы управления и защиты 2. Стержни закрепляются вокруг области облучения таким образом, чтобы полупроводниковые изделия облучалась как можно более равномерно. Изделия по транспортерной ленте 3 поступают в установку. После этого, в течение необходимого времени происходит обработка изделия гамма излучением. При этом движение транспортерной ленты может осуществляться как непрерывно, так и с остановкой на необходимое для облучения время. По действием гамма облучения происходит изменение свойств полупроводниковых изделий. Следует отметить, что в качестве основного элемента устройства используются отработанные в ядерных реакторах стержни системы управления и защиты. Использование отработанных элементов ядерных реакторов также позволяет частично решить проблему их утилизации.
Технический результат - равномерное облучение полупроводниковых изделий под действием гамма облучения с использованием отработанных стержней системы управления и защиты в качестве источника излучения.
Предложенная установка отличается от аналогов тем, что в качестве источника гамма излучения используются отработанные стержни органов регулирования ядерных реакторов, которые расположены вокруг облучаемого изделия так, чтобы изделие облучалось равномерно.
Установка для улучшения свойств полупроводниковых изделий, состоящая из корпуса с радиационной защитой, транспортерной ленты для подачи полупроводниковых изделий, источников излучения, отличающаяся тем, что источники излучения представляют собой отработанные стержни органов регулирования ядерных реакторов, которые расположены вокруг облучаемого изделия так, чтобы изделие облучалось равномерно.
