Модель кристалла

Авторы патента:

7 G09B23/00 -

 

Модель кристалла, содержащая две идентичные треугольные пирамиды с высотой Н каждая, обращенные друг к другу основаниями и взаимопроникающие одна в другую на высоту h таким образом, что на плоскостях граней одной из пирамид выступают вершины другой, отличающаяся тем, что высота h зависит от длины стороны основания и выбрана из соотношения: h=(1,05-2,5)a, где а - длина стороны основания, при этом высота Н каждой из пирамид зависит от высоты взаимопроникновения одной пирамиды в другую и выбрана из соотношения: Н=(2,0-3,0)h, где Н - высота пирамиды, h - высота взаимопроникновения одной пирамиды в другую, a - длина стороны основания каждой из пирамид.



 

Похожие патенты:
Наверх