Мощный биполярный переключательный транзистор, содержащий в структуре эмиттерную область, расположенную в базовой области и выполненную в виде узких полос, соединенных между собой общей металлизацией, образующей контактную площадку, размеры которой достаточны для присоединения внешнего вывода эмиттера, отличающийся тем, что общая металлизация, образующая контактную площадку, располагается над областями эмиттера и базы поперек полос эмиттера.