Полупроводниковый диод для наносекундного размыкания больших токов

1. Полупроводниковый p⁺p ⁿⁿ⁺-диод для наносекундного размыкания больших токов, отличающийся тем, что коэффициент инжекции n⁺n-перехода уменьшен до величины, обеспечивающей инверсный порядок восстановления p⁺p- и nn⁺-переходов при переключении диода из прямого смещения на обратное.

2. Диод по п.1, в котором уменьшение коэффициента инжекции nn ⁺-перехода получено уменьшением поверхностной концентрации легирующей примеси в n⁺-слое до величины N_s, лежащей в пределах 110¹⁶ см³N_s110¹⁸ см³.

3. Диод по п.1, в котором уменьшение коэффициента инжекции nn⁺-перехода получено уменьшением в n-базе времени жизни неосновных носителей _p до величины 0,01 _p 0,1 мкс, причем это уменьшение выполнено в слое n-базы с толщиной 10 мкм, прилегающем к n⁺-слою.