Полупроводниковая структура на основе кремния

Полупроводниковая структура на основе кремния, состоящая из кремниевой подложки и слоя диоксида кремния, отличающаяся тем, что между подложкой и слоем диоксида кремния имеется дополнительный слой кремния толщиной не более толщины слоя диоксида кремния, слой диоксида кремния и дополнительный слой кремния содержат свинец, причем в дополнительном слое количество его составляет 1,5 - 2,2% от содержания кремния.