Генераторный сверхвысокочастотный диод, содержащий полупроводниковый кристалл, размещенный в диэлектрической втулке на держателе и снабженный токоподводом, отличающийся тем, что в него введен цилиндрический металлический корпус держателя, выполненный с соосными и противолежащими торцевыми цилиндрической и конической полостями, в которых размещены соответственно диэлектрическая втулка и держатель, выполненный в виде усеченного конуса с углом раскрытия, равным углу раскрытия конической полости корпуса, и с концентрическими канавками на боковой поверхности для СВЧ изоляции, соединенной с поверхностью конической полости корпуса диэлектрическим клеем, а полупроводниковый кристалл размещен между вершиной конуса держателя и вершиной усеченного конуса токоподвода, закрепленного в коническом отверстии диэлектрической втулки, соосно которой на торцевой поверхности корпуса со стороны диэлектрической втулки выполнены дополнительные канавки для СВЧ изоляции.
