Полупроводниковый прибор, содержащий последовательно расположенные р, n и n+ слои с боковой поверхностью, образующий угол 20°145° с плоскостями p и n слоев, отличающийся тем, что участок р слоя длиной l 1/3 W00 3, примыкающий к упомянутой боковой поверхности, расположен под углом 10°245° к остальной части p слоя, где W00 3 - ширина области объемного заряда на боковой поверхности при напряжении лавинного пробоя.
1