Полупроводниковый светодиод на основе кремния, содержащий последовательно расположенные p+ - подложку, p-слой, легированный эрбием и кислородом, p-слой и прозрачный для излучения токопроводящий слой, отличающийся тем, что между легированным и токопроводящим слоями дополнительно введен туннельно-тонкий диэлектрический слой толщиной d, отвечающий соотношению: d0>d>Eв/(q*Eпр) , где d0 - максимально возможная толщина для туннелирования электрона, см; Ев - энергия электронов, достаточная для ударного возбуждения ионов эрбия, Дж; Епр - напряженность поля при пробое диэлектрика, В/см; q - заряд электрона, кул.
