Патенты автора Галиев Галиб Бариевич (RU)

Полупроводниковая наногетероструктура со ступенчатой квантовой ямой algaas/gaas/ingaas/gaas/algaas на подложке gaas с комбинированным легированием // 113072

Полупроводниковая наногетероструктура in0.52al0.48as/inxga1-xas c составной активной областью in0.53ga0.47as/inas/in0.53ga0.47as/inas/in0.53ga0.47as c двумя вставками inas // 113071

Полупроводниковая наногетероструктура inalas/ingaas с метаморфорным буфером // 111353

Полезная модель относится к полупроводниковым МНЕМТ (metamorphic high electron mobility transistor) наногетероструктурам, используемым для изготовления СВЧ транзисторов и монолитных интегральных схем с высокой рабочей частотой и большими пробивными напряжениями.

Полупроводниковая метаморфная наногетероструктура inalas/ingaas // 111352

Полезная модель относится к полупроводниковым МНЕМТ (metamorphic high electron mobility transistor) наногетероструктурам, используемым для изготовления СВЧ транзисторов и монолитных интегральных схем с высокой рабочей частотой и большими пробивными напряжениями.