Патенты автора Тугушев Марат Шамильевич (RU)

Полезная модель относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов, а именно, к светоизлучающим устройствам, содержащим эпитаксиальные структуры на основе нитридных соединений металлов III группы - алюминия, галлия, индия (AIII N).

Полезная модель относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов, а именно, к светоизлучающим диодам, содержащим эпитаксиальные структуры на основе нитридных соединений металлов III группы - алюминия, галлия, индия (AIII N).
Наверх