Патенты автора Павлюченко Алексей Сергеевич (RU)

Полезная модель относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов, а именно, к светоизлучающим устройствам, содержащим эпитаксиальные структуры на основе нитридных соединений металлов III группы - алюминия, галлия, индия (AIII N).

Полезная модель относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов, а именно, к светоизлучающим диодам, содержащим эпитаксиальные структуры на основе нитридных соединений металлов III группы - алюминия, галлия, индия (AIII N).

Полезная модель относится к светодиодным гетероструктурам в системе материалов AlInGaN на сапфировой подложке Задачей заявляемой полезной модели является увеличение доли излучения, выводимого из светоизлучающей структуры, и, как следствие, увеличение эффективности излучения электролюминесценции структуры, выращенной на подложке из искусственного сапфира.
Наверх