Патенты автора Войтович Виктор Евгеньевич (EE)

Ультрабыстрый, высокоэнергетичный, мощный, высоковольтный, высокотемпературный диод в плоских металлокерамических корпусах // 102277

Ультрабыстрый, высокоэнергетичный, мощный, высоковольтный, высокотемпературный диод в металлокерамических корпусах для поверхностного монтажа // 102276

Ультрабыстрый, высокоэнергетичный, мощный, высоковольтный, высокотемпературный диод в металлокерамических, металлостеклянных корпусах // 102275

Ультрабыстрый, высокоэнергетичный, мощный, высоковольтный, высокотемпературный диод в металлокерамических планарных малоиндуктивных беспроволочных корпусах // 102274

Ультрабыстрый, высокоэнергетичный, мощный, высоковольтный диод в металлопластмассовых корпусах // 102273

Мощный полупроводниковый прибор для высокочастотного переключения // 97565

Мощный полупроводниковый прибор для высокочастотного переключения для применения в высокочастотных преобразователях радиоэлектронной и радиотехнической аппаратуры. Основной технической задачей предложенной полезной модели мощного полевого транзистора является повышение частотных и динамических свойств, токовых и температурных характеристик, надежности мощных полупроводниковых приборов для высокочастотного переключения на основе транзисторно-диодных интегральных сборок..

Мощный высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором с антипараллельным быстродействующим температуростойким диодом // 92242

Подписаться на новые патенты этого автора

Отправить сообщение автору патента

Я этот человек или организация