Корпус полупроводниковых приборов
Корпус полупроводниковых приборов предназначен для производства мощных биполярных и полевых транзисторов, диодов, тиристоров, и других полупроводниковых приборов и может быть использована в радиоэлектронной, электротехнической отраслях промышленности. Основной технической задачей является повышение частотных и динамических свойств корпуса вследствие снижения паразитной электрической емкости и наведенной индуктивности корпуса. Данная задача достигается изменением конструкции кристаллодержателя посредством введения изолирующей теплопроводящей прокладки для монтажа полупроводникового кристалла и трех изолированных выводов. Корпус содержит металлический фланец с монтажным отверстием 1, плоский керамический теплоотводящий изолятор с двухсторонней металлизацией 2, керамический изоляционный каркас 3, металлическую крышку-баллон 4, токоотводящие металлические вставки 5 в керамическом каркасе, вывода 6.
Полезная модель представляет собой корпус полупроводниковых приборов, предназначенный для тепловой, механической, электрической, акустической, климатической, и другой защиты полупроводниковых структур, и может быть использован в радиоэлектронной промышленности для разработок и производства мощных транзисторов, диодов, тиристоров и других полупроводниковых приборов.
В конструкции корпусов полупроводниковых приборов используются различные радиотехнические материалы, обладающие высокой тепло и, электропроводностью, механической прочностью, устойчивостью к климатическим воздействиям и др.
Конструкция корпуса мощных полупроводниковых приборов, как правило, содержит теплопроводящий фланец, с встроенным в него керамическим изолятором, баллон или крышку корпуса.
Прототипом предлагаемой полезной модели является металлокерамический корпус КТ43А-1.01, КТ97 В-1, КТ28А-01,содержащий металлокерамический кристаллодержатель, состоящий из металлического основания (фланца) с монтажным отверстием и токовым выводом; изоляционного керамического каркаса с двумя впаянными металловставками и металлизированным рельефом по контуру; двух изолированных токоотводящих выводов, припаянных к металловставкам металлического каркаса и металлического баллона.
К недостаткам данной конструкции относятся ограничение частотных и динамических свойств из-за паразитной емкости фланца дополнительной наведенной индуктивности, а также необходимость применения дополнительных электроизоляционных прокладок при монтаже корпуса на радиатор.
Основной технической задачей предлагаемой полезной модели является снижение паразитной электрической емкости фланца и индуктивности корпуса с целью расширения его частотных и динамических свойств, минимизация наведенной индуктивности, повышение его частотных и динамических свойств.
Данная задача достигается введением в конструкцию кристаллодержателя корпуса теплоотводящего керамического изолятора и впаянных в керамический каркас кристаллодержателя трех изолированных токовых выводов.
В зависимости от топологии или рисунка металлизации на планарной стороне теплоотводящего керамического изолятора, выполняются различные варианты сборки полупроводниковых кристаллов
На фиг.1 показан общий вид корпуса: корпус содержит металлический фланец с монтажным отверстием 1, плоский керамический теплоотводящий изолятор с двухсторонней металлизацией 2, керамический изоляционный каркас 3, металлическую крышку-баллон 4, токоотводящие металлические вставки 5 в керамическом каркасе, вывода 6.
Металлические детали корпуса 1, 4, 5, 6 изготавливаются методом штамповки, керамический каркас-изолятор 3 - методом специального прессования, литья и высокотермической обработки с нанесением высокотемпературной металлизации для герметизирующего шва и токоотводящих отверстий.
Теплоотводящая керамика 2 изготавливается из шихты (смеси) определенного состава на основе BeO; AlN; BN; Si 3N4 и др. методами прессования с последующей высокотемпературной термообработкой и нанесением (вжиганием) соответствующих рисунков (топологий) двухсторонней металлизации.
Герметизация баллона 4 с металлокерамическим каркасом 3 осуществляется методом шовно-роликовой сварки и другими операциями.
Корпус полупроводниковых приборов, содержащий кристаллодержатель, состоящий из металлического фланца, керамического изоляционного каркаса, баллон (крышку) и выводы, отличающийся тем, что кристаллодержатель содержит электрически изолированный фланец, теплопроводящую изолирующую прокладку и три изолированных впаянных в керамический каркас вывода.
