Сегнетоэлектрический планарный конденсатор

Изобретение относится к сегнетоэлектрическим конденсаторам и может быть использовано в технике СВЧ с использованием планарной технологии. Согласно изобретению, для повышения емкости и стабильности работы конденсатора планарные электроды нанесены на подложку из молекулярного сегнетоэлектрического кристалла и покрыты слоем того же самого кристалла, при этом поверхность подложки предварительно обработана раствором, содержащим свободные молекулы с большим электрическим дипольным моментом, например, молекулы глицина.

Изобретение относится к конденсаторам, а именно к сегнетоэлектрическим конденсаторам, и может быть использовано в технике СВЧ с использованием планарной технологии.

В технике СВЧ нашли применение сегнетоэлектрические планарные конденсаторы. Как правило, они состоят из трех слоев:

диэлектрической подложки, сегнетоэлектрической пленки и планарных электродов (а.с. СССР №301750, 438055, МПК H01G 7/06, 7/02, 1971, 1974) Известно использование в конденсаторах в качестве диэлектрика сегнетоэлектрического материала с прямоугольной петлей диэлектрического гистерезиса (а.с. СССР №159883, Н02N, 1964) или пластинки сегнетоэлектрика ТГС (а.с. СССР №147815, 1962)

Наиболее близким является сегнетоэлектрический планарный конденсатор (патент РФ №2271046, МПК Н01C 7/06, 2006), содержащий диэлектрическую подложку из сегнетоэлектрика и сформированные на ней электроды, причем диэлектрическая подложка изготовлена из полярного молекулярного сегнетоэлектрического кристалла, содержащего биполярные анизотропно-мобильные молекулы, например молекулы глицина.

Недостатком данного конденсатора является недостаточная стабильность.

Технический результат заключается в увеличении стабильности и емкости конденсатора в миниатюрном планарном исполнении.

Технический результат достигается тем, что Сегнетоэлектрический планарный конденсатор содержащий диэлектрическую подложку из молекулярного

сегнетоэлектрического кристалла и сформированные на ней электроды, согласно изобретению, подложка покрыта слоем того же кристалла, при этом поверхность подложки предварительно обработана раствором, содержащим свободные молекулы с большим электрическим дипольным моментом, например, молекулы глицина.

В такой конструкции конденсатора типа "сандвича" помимо увеличения рабочего объема сегнетоэлектрика и добавлением прослойки с повышенной поляризуемостью в области зазора между электродами повышается стабильность его работы за счет закрытия канала адсорбция-десорбция.

На фиг.1 представлен общий вид предложенного конденсатора; на фиг.2 - вид сбоку на зазор между планарными электродами.

Конденсатор состоит из подложки 1, выполненной из молекулярного сегнетоэлектрического кристалла, сформированных на ней планарных электродов 2 покрытых слоем 3. того же кристалла.

Пластина кристалла ТГС распускаются на две половины вдоль. На одну из половин кристалла наносятся планарные электроды, например в виде встречных гребенок. Обрабатывают эту поверхность кристалла с электродами раствором, содержащим, например, свободные молекулы глицина. Накрывают второй половиной кристалла и скрепляют.

Сегнетоэлектрический планарный конденсатор, содержащий диэлектрическую подложку из молекулярного сегнетоэлектрического кристалла и сформированные на ней электроды, отличающийся тем, что подложка покрыта слоем того же кристалла, при этом поверхность подложки предварительно обработана раствором, содержащим свободные молекулы с большим электрическим дипольным моментом, например молекулы глицина.