Нанотехнологическое устройство
Полезная модель относится к области нанотехники, а более конкретно к нанотехнологическим устройствам.
В основу полезной модели положена техническая задача, состоящая в том, чтобы понизить работу выхода электронов из технологического материала.
Поставленная техническая задача решается тем, что устройство дополнительно снабжено источником пульсирующего СВЧ-напряжения с регулируемой частотой в пределах от 10 МГц до 20ГТц.
Применение предложенного устройства для получения наноструктур на подложке позволяет понизить работу выхода электронов из технологического материала.
Полезная модель относится к области нанотехники, а более конкретно к нанотехнологическим устройствам.
Известно нанотехнологическое устройство, содержащее пьезопривод, установленный на неподвижном основании, зонд, связанный с пьезоприводом, подложко держатель с подложкой электрически связанной с зондом [Неволин В.К. Физические основы туннельно-зондовой нанотехнологии. - Учебное пособие /М.: МИЭТ 2000г. (аналог)].
Недостатком аналога является высокая работа выхода электронов из технологического материала.
Наиболее близким по технической сущности является устройство для получения наноструктур на подложке, содержащее пьезопривод, жестко связанный с зондом конусообразной формы и неподвижной направляющей, подложку, установленную на координатном столе [Свидетельство на полезную модернизацию №29926, 7В 81 С 1/00 -10.06.2003. Бюл. №16. (прототип)].
Недостатком прототипа является высокая работа выхода электронов из технологического материала.
В основу полезной модели положена техническая задача, состоящая в том, чтобы понизить работу выхода электронов из технологического материала.
Поставленная техническая задача решается тем, что устройство для получения наноструктур на подложке, содержащее пьезопривод, жестко связанный с зондом конусообразной формы и неподвижной направляющей, подложку, установленную на координатном столе, согласно предложенной полезной модели, дополнительно снабжено источником пульсирующего СВЧ-напряжения с регулируемой частотой в пределах от 10 МГц до 20 ГГц.
Сущность полезной модели поясняется на фиг.1, где показано устройство для получения наноструктур на подложке.
Устройство для получения наноструктур на подложке (фиг.1) содержит механический зонд (1), направленный на исследуемую поверхность(2) и прикрепленный к пьезоприводу (3), а также генератор СВЧ-напряжения, электрически подсоединенный к зонду (1) и исследуемой поверхности (2).
Нанотехнологическое устройство работает следующим образом.
При подачи напряжения на пьезопривод (3) происходит перемещение зонда (1) до возникновения туннельного тока. Для понижения работы выхода электронов из технологического материала на зонд подается пульсирующее СВЧ-напряжение, частота которого кратна резонансной частоте движения электронов в технологическом материале.
Применение предложенного устройства для получения наноструктур на подложке позволяет понизить работу выхода электронов из технологического материала.
Устройство для получения наноструктур на подложке, содержащее пьезопривод, жестко связанный с зондом конусообразной формы и неподвижной направляющей, подложку, установленную на координатном столе, отличающееся тем, что устройство дополнительно снабжено источником пульсирующего СВЧ-напряжения.
