Полупроводниковый инжекционный генератор на основе гетероструктуры a3b5
Изобретение относится к области медицины, биологии, ветеринарии и предназначено для проведения волновой терапии путем биостимулирующего воздействия модулированного оптического излучения для селективного воздействия на клетки биологических объектов. Полупроводниковый инжекционный генератор на основе гетероструктуры A3B5 содержит активный слой на основе InP, при этом активный слой находится между расположенными с одной стороны двумя выращенными слоями n-типа проводимости и с другой стороны одним выращенным слоем p-типа проводимости, на котором выполнены контактные площадки из драгоценного электропроводного, преимущественно золота или платины, металла, при этом в качестве легирующей примеси n-типа могут быть применены Se, Те, Si с концентрацией носителей не менее no-8·1015 см 3, а в качестве легирующей примеси p-типа могут быть применены - Be, Zn, Cd с концентрацией носителей не менее Po -9·1018 см3. В результате достигается возможность усилить воздействие на клетки биологических объектов излучения полупроводникового инжекционного генератора на основе гетероструктуры A3B5, и добиться стимулирующего воздействия на биологические структуры и процессы синергетичные биологическим структурам человека и угнетающего воздействие на биологические структуры и процессы несинергетичные биологическим структурам человека, проявляющих себя в качестве патогенных агентов и факторов, а также различных патологий.
ОПИСАНИЕ
Изобретение относится к области медицины, биологии, ветеринарии и может быть использовано для физиотерапии.
Известен инжекционный полупроводниковый генератор на основе гетероструктуры полупроводниковых соединений А3В5 и их твердых растворов с эмиттерными слоями и помещенной между ними активной областью, мезаполоской с основанием, расположенным в ближайшем к ней эмиттерном слое, и барьерными слоями из селенида цинка, расположенными на боковых поверхностях мезаполоски и прилегающих поверхностях эмиттерного слоя (см. журнал Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 1987, V.51, N12, p.877-879).
В данном полупроводниковом генераторе ток утечки сквозь барьерный слой снижается до ничтожного значения, а под полоской образуется устойчивый гребневидный волновод с хорошим боковым оптическим ограничением, причем поглощение излучения в более широкозонном материале (ZnSe) практически отсутствует. Кроме того, описанная конструкция трудно воспроизводима при изготовлении генератора, что сужает область его использования.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому техническому результату является полупроводниковый инжекционный генератор на основе гетероструктуры А3 В5, содержащий активный слой на основе InP, в частности генератор на структурах InP/InGaAsP с длиной волны (1,1-1,6) мкм. (см. патент RU 
2123869, кл. A61N 5/06, 27.12.1998).
Данный полупроводниковый инжекционный генератор позволяет проводить фототерапию биологических объектов. Однако использование данного генератора позволяет только добиться активации иммунной системы животных и человека, что сужает область использования
полупроводникового инжекционного генератора на основе гетероструктуры А3 В5.
Задачей, на решение которой направлено настоящее изобретение, является создание низкоинтенсивного электромагнитного излучения, которое может быть использовано для осуществления физиотерапевтических процедур.
Достигаемым техническим результатом является расширение арсенала подобных средств.
Разработанный полупроводниковый инжекционный генератор на основе гетероструктуры А3В5 содержит активный слой на основе InP, при этом активный слой находится между расположенными с одной стороны двумя выращенными слоями n-типа проводимости и с другой стороны одним выращенным слоем p-типа проводимости, на котором выполнены контактные площадки из драгоценного электропроводного, преимущественно золота или платины, металла, при этом в качестве легирующей примеси n-типа могут быть применены Se, Те, Si с концентрацией носителей не менее no-8·1015 см3, а в качестве легирующей примеси p-типа могут быть применены - Be, Zn, Cd с концентрацией носителей не менее Ро-9·10 18 см3.
В ходе проведенных клинических исследований было выявлено, что с помощью описанного выше полупроводникового инжекционного генератора представляется возможным создать портативное устройство, позволяющее воспроизвести излучение, частотный диапазон и поляризация которого оказывает корректирующее действие на биологические структуры.
Использование в качестве легирующей примеси n-типа Se, Те, Si с концентрацией носителей не менее no-8·1015 см3, и качестве легирующей примеси p-типа - Be, Zn, Cd с концентрацией носителей не менее Ро-9·1018 см3 в сочетании с выполнением активного слоя на основе InP, который находится между расположенными с одной стороны двумя выращенными слоями n-типа проводимости и с другой стороны одним выращенным слоем p-типа
проводимости, позволяет получить эффект комплексного, безмедикаментозного, неинвазивного воздействия на биологический объект.
На чертеже схематически представлен разрез полупроводникового инжекционного генератора на основе гетероструктуры А3 В5
Полупроводниковый инжекционный генератор на основе гетероструктуры А3В5 содержит активный слой 1 на основе InP, при этом активный слой 1 находится между расположенными с одной стороны двумя выращенными слоями n-типа проводимости 2 и с другой стороны одним выращенным слоем p-типа проводимости 3, на котором выполнены контактные площадки 4 из драгоценного электропроводного, преимущественно золота или платины, металла. В качестве легирующей примеси n-типа могут быть применены Se, Те, Si с концентрацией носителей не менее no-8·1015 см3, а в качестве легирующей примеси p-типа могут быть применены - Be, Zn, Cd с концентрацией носителей не менее Ро-9·10 18 см3.
После приложения импульсного напряжения через контактные площадки 4 электрический ток вызывает инжекцию неосновных носителей через p-n-переход в активную область, образованную активным слоем 1. В активной области начинается процесс рекомбинации носителей заряда с испусканием квантов спонтанного излучения.
Поскольку данный генератор выполнен на основе гетероструктуры А3В5 он позволяет получить генерирование электромагнитного излучения с возможностью управляемого изменения частоты электромагнитного излучения.
Сочетание подобных качеств позволяет использовать описанный генератор для решения различных физиотерапевтических целей. В связи с чем, устройство, содержащее разработанный нами генератор, может быть использовано в медицине и ветеринарии.
Полупроводниковый инжекционный генератор на основе гетероструктуры А3В5, содержащий активный слой на основе InP, отличающийся тем, что активный слой находится между расположенными с одной стороны двумя выращенными слоями n-тина проводимости и с другой стороны одним выращенным слоем p-типа проводимости, на котором выполнены контактные площадки из драгоценного электропроводного металла.
