Алмазный многоэлектродный транзистор
Полезная модель относится к приборам электронной техники. Предложена структура алмазного многоэлектродного транзистора, состоящего из алмазной изолирующей подложки, на которой вблизи поверхности сформированы электропроводящая область с нанесенным на ней слоем изолятора, а также контакты истока и стока, расположенные на электропроводящей области, контакты затвора, нанесенные поверх слоя изолятора, отличающаяся тем, что она содержит не менее двух электропроводящих областей, изолированных друг от друга, не менее двух контактов истоков и стоков, нанесенных на электропроводящие области и связанных с общими выводами, расположенными на алмазной изолирующей подложке, и не менее двух контактов затворов, расположенных на слое изолятора, нанесенного на электропроводящие области и связанных через воздушные мосты с общим выводом затвора, расположенном на алмазной изолирующей подложке. 1 п. формулы полезной модели, иллюстрации - 3 фиг.
Полезная модель относится к транзисторам на основе алмаза. Известно, что алмаз не имеет доноров или акцепторов с мелкими уровнями, расположенными в запрещенной зоне. Самый мелкий уровень - это акцепторный уровень бора, расположенный выше валентной зоны и имеющий энергию 0,37 эВ. При создании тонкого легированного бором слоя энергия уровня бора уменьшается и проводимость легированного электропроводящего слоя увеличивается [1].
Известен патент США 563916895, дата публикации 21.02.1995 г.DOUBLE DIAMOND MESA VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR. Это - алмазный многоэлектродный транзистор. В этом транзисторе имеется совокупность истоков, между которыми расположены затворы, контактирующие с истоками через изоляционные прослойки. Ток от истоков проходит перпендикулярно плоскости поверхности через структуры р+/р(первый слой)/р(второй слой) и попадает в р+-подложку, которая контактирует со стоком. Однако указанная конструкция является весьма сложной и параметры предложенных вертикальных транзисторов не указаны.
Так как предложенная ниже полезная модель имеет так называемую горизонтальную конструкцию, в которой ток протекает параллельно поверхности алмазной подложки, указанный выше патент может рассматриваться в качестве аналога.
Разработанные алмазные транзисторы, в которых ток протекает параллельно поверхности алмазной подложки, т.е. так называемые «горизонтальные транзисторы», описание которых имеется в литературе, как правило, имеют малую мощность (не более сотен милливатт). Это связано с малой шириной канала [3].
В качестве прототипа настоящей полезной модели выбран алмазный транзистор по патенту [4]. Транзистор содержит алмазную изолирующую подложку, созданную вблизи поверхности изолирующей подложки электропроводящую область, контакты истока и стока, расположенные на электропроводящей области, слой изолятора, расположенный поверх электропроводящей области и контакт затвора на слое изолятора. Дополнительно контакты истока и стока состоят из Ti или Мо или из сплавов этих металлов, а контакт затвора состоит из Ti или Мо или из Au.
Недостатком прототипа также является малая мощность, так как транзистор имеет всего один контакт истока, один контакт стока и один контакт затвора.
Техническим результатом создания полезной модели алмазного транзистора является создание большого числа электропроводящих областей, изолированных друг от друга, большое число контактов истока и стока, расположенных на электропроводящих областях и большое число контактов затвора, расположенных на электропроводящих областях, покрытых слоем изолятора. Все это приводит к увеличению мощности алмазного транзистора, из-за уменьшения сопротивления канала между контактами истока и стока.
Новизна полезной модели заключается в том, что электропроводящие области изолированы друг от друга, контакты от истоков и стоков связаны с общими выводами, расположенными на алмазной изолирующей подложке, а контакты затворов, расположенные на электропроводящих областях, покрытых слоем изолятора, связаны через воздушные мосты с общим выводом затворов, расположенном на алмазной изолирующей подложке.
На фиг.1, фиг.2 и фиг.3 представлена полезная модель многоэлектродного алмазного транзистора. Здесь: 1 - алмазная изолирующая подложка; 2 - электропроводящие области алмаза; созданные вблизи поверхности и изолированные друг от друга; 3 - контакты истоков; расположенные на электропроводящих областях 2; 4 - контакты стоков; расположенные на электропроводящих областях 2; 5 - контакты затворов; расположенные поверх слоя изолятора 10 на электропроводящих областях алмаза 2 (на фиг.1 слои изолятора не показаны); 6 - общий контакт истока, расположенный на алмазной изолирующей подложке; 7 - общий контакт стока, расположенный на алмазной изолирующей подложке; 8 - общий контакт затворов, расположенный на алмазной изолирующей подложке.
На фиг.2 показано соединение посредством воздушных мостов 9 контактов затворов 5, расположенных в каналах транзистора над слоем изолятора 10 на электропроводящей области 2 с общим контактом затвора 8, расположенном на алмазной изолирующей подложке 1.
На фиг.3 более детально показаны расположенные на алмазной изолирующей подложке 1 изолированные друг от друга электропроводящие области 2 с расположенными на них контактами истока 3 и стока 4, со слоем изолятора 10, покрывающего электропроводящие области 2, расположенного между контактами истока и стока и с электродом затвора 5, расположенном на слое изолятора 10.
Слой изолятора 10, расположенный на электропроводящей области 2, состоит из Al2O 3. Этот слой изолятора можно сформировать также на основе таких диэлектрических пленок, как SiO2 или Si 3N4.
Испытание алмазного многоэлектродного транзистора с двадцатью четырьмя парами контактов «исток», «сток» и «затвор» показали, что его мощность примерно на порядок величины больше, чем мощность алмазного транзистора с одиночными контактными выводами истока, стока и затвора.
Литература
1. El-Haji H., Denisenko A., Kaiser A. et al. // Diamond Relat. Mater. - 2008. - V.17. - p.l259.
2. Патент США US 005391895 A, Date of Patent: Feb. 21, 1995
3. Васильев А.Г., Колковский Ю.В., Концевой Ю.А. СВЧ приборы и устройства на широкозонных полупроводниках. Москва: Техносфера, 2011. - 416 с.
4. Патент США US 0060864 A1 ALL DIAMOND SELF-ALIGNED THIN FILM TRANSISTOR.. Опубликовано 23.03.2006
Алмазный многоэлектродный транзистор, состоящий из алмазной изолирующей подложки, на которой вблизи поверхности сформирована электропроводящая область с нанесенным на ней слоем изолятора, а также контакты истока и стока, расположенные на электропроводящей области, контакт затвора, нанесенный поверх слоя изолятора, отличающийся тем, что он содержит не менее двух электропроводящих областей, изолированных друг от друга, не менее двух контактов истоков и стоков, нанесенных на электропроводящие области и связанных с общими выводами, расположенными на алмазной изолирующей подложке, и не менее двух контактов затворов, расположенных на слое изолятора, нанесенного на электропроводящие области, и связанных через воздушные мосты с общим выводом затвора, расположенным на алмазной изолирующей подложке.