Кристаллизатор для непрерывной разливки стали

Авторы патента:

7 C25D5/50 -

 

1. Кристаллизатор для непрерывной разливки стали, содержащий плиты-стенки из меди или ее сплавов с нанесенным на их рабочую поверхность гальваническим никелевым покрытием, отличающийся тем, что гальваническое никелевое покрытие рабочих поверхностей кристаллизатора выполнено малонапряженным с толщиной слоя, составляющей не менее 1 мм, при этом покрытие выполнено из осадка электролита никелирования, содержащего сернокислый никель, хлористый натрий и борную и сульфаминовую кислоты при следующем содержании компонентов, г/л: Сернокислый никель - 250 - 350 Сульфаминовая кислота - 40 - 70 Хлористый натрий - 5 - 15 Борная кислота - 15 - 30 2. Кристаллизатор по п.1, отличающийся тем, что малонапряженное покрытие выполнено комбинированным из электролитического осадка - суспензии никелевого электролита с дополнительным включением частиц ультрадисперсного карбида кремния и/или окислов алюминия при следующем содержании компонентов, г/л: Сернокислый никель - 250 - 350 Сульфаминовая кислота - 40 - 70 Хлористый натрий - 5 - 15
Борная кислота - 15 - 30
и дополнительно ультрадисперсный карбид кремния и/или окислы алюминия 50 - 150.

3. Кристаллизатор по любому из пп.1 и 2, отличающийся тем, что малонапряженное покрытие выполнено двухслойным, при этом первый слой от подложки выполнен никелевым, а второй - комбинированным, с содержанием частиц ультрадисперсного карбида кремния и/или окислов алюминия до 350 г/л.

4. Кристаллизатор по любому из пп.1 - 3, отличающийся тем, что малонапряженное никелевое покрытие выполнено с регулярным микрорельефом.

5. Кристаллизатор по любому из пп.1 - 4, отличающийся тем, что регулярный микрорельеф выполнен гребенчатым с ориентацией его гребней перпендикулярно продольной оси симметрии кристаллизатора и расстоянием между гребнями, составляющим 0,1 - 2 мм.

6. Кристаллизатор по любому из пп.1 - 3, отличающийся тем, что регулярный микрорельеф выполнен в виде лунок, расположенных на поверхности покрытия в шахматном порядке.

7. Кристаллизатор по любому из пп.1 - 4, отличающийся тем, что регулярный микрорельеф выполнен на рабочей поверхности плит под покрытием.

8. Кристаллизатор по любому из пп.1 - 5, отличающийся тем, что микрорельеф сформирован покрытием с переменной толщиной.

9. Кристаллизатор по любому из пп.1 - 6, отличающийся тем, что покрытие выполнено клиновидным с толщиной, увеличивающейся от входа к выходу кристаллизатора, при этом угол наклона поверхности покрытия к продольной оси симметрии кристаллизатора составляет 3-15o.




 

Похожие патенты:
Наверх