Инжекционный источник оптического излучения

 

1. Инжекционный источник оптического излучения на основе гетероструктуры II типа полупроводниковых соединений и/или их твердых растворов, образующей активную область, содержащую по меньшей мере один набор из разделенных барьерным слоем двух основных слоев, один из которых образует квантовую яму, находящуюся в зоне проводимости, а другой основной слой образует квантовую яму в валентной зоне, при этом каждая из упомянутых ям имеет по меньшей мере одно разрешенное энергетическое состояние, отличающийся тем, что в отсутствии внешнего электрического поля разрешенное энергетическое состояние в яме, находящейся в зоне проводимости, лежит по энергии ниже разрешенного энергетического состояния в яме, находящейся в валентной зоне, а барьерный слой является туннельно непрозрачным для носителей заряда, барьерный слой выполнен из полупроводниковой сверхрешетки или из варизонного полупроводникового твердого раствора, край запрещенной зоны у которых на одной из гетерограниц совпадает с краем запрещенной зоны примыкающего к этой границе основного слоя активной области, при этом край зоны проводимости барьерного слоя монотонно возрастает по энергии по направлению ко второй гетерогранице со слоем, содержащим яму в валентной зоне, и на самой гетерогранице превышает по энергии уровень разрешенного состояния в этой яме, или край валентной зоны барьерного слоя монотонно уменьшается по энергии ко второй гетерогранице со слоем, содержащим яму в зоне проводимости, и на самой границе расположен ниже по энергии уровня разрешенного состояния в этой яме, или из двух сверхрешеток, или двух варизонных полупроводниковых твердых растворов, у одной из упомянутых сверхрешеток или у одного из упомянутых растворов край зоны проводимости совпадает с краем зоны проводимости основного слоя на их границе, а у второй из упомянутых сверхрешеток или у второго из упомянутых растворов край валентной зоны совпадает с краем валентной зоны основного слоя на их границе, при этом у первой из упомянутых сверхрешеток или у первого из упомянутых растворов край зоны проводимости монотонно возрастает по энергии по направлению к основному слою, содержащему яму в валентной зоне, а у второй из упомянутых сверхрешеток или у второго из упомянутых растворов край валентной зоны монотонно уменьшается по энергии по направлению к основному слою, содержащему яму в зоне проводимости, и на общей границе упомянутых сверхрешеток или растворов край зоны проводимости первой сверхрешетки или первого раствора лежит по энергии выше края валентной зоны второй сверхрешетки или второго раствора.

2. Инжекционный источник по п.1, отличающийся тем, что барьерный слой выполнен толщиной не менее 2 нм.

3. Инжекционный источник по п.1, отличающийся тем, что по меньшей мере один основной слой активной области выполнен в виде сверхрешетки.

4. Инжекционный источник по п.1, отличающийся тем, что основные слои выполнены из InAs и CaSb или их твердых растворов, разделенных барьерным слоем из CaxIn1-xAs.

5. Инжекционный источник по п.1, отличающийся тем, что основные слои выполнены из InAs и CaSb или их твердых растворов, разделенных барьерным слоем из AlxGa 1-xSb.

6. Инжекционный источник по п.4 или 5, отличающийся тем, что слои из InAs или его твердого раствора выполнены толщиной не менее 10 нм, а слои из CaSb или его твердого раствора выполнены толщиной не менее 3 нм.

7. Инжекционный источник оптического излучения на основе гетероструктуры II типа полупроводниковых соединений и/или их твердых растворов, образующей активную область с плоско-параллельными боковыми гранями, содержащую по меньшей мере один набор из разделенных барьерным слоем двух основных слоев, один из которых образует квантовую яму, находящуюся в зоне проводимости, а другой основной слой образует квантовую яму в валентной зоне, при этом каждая из упомянутых ям имеет по меньшей мере одно разрешенное энергетическое состояние, а также содержащей снабженные омическими контактами внешние слои из полупроводникового материала с показателем преломления, меньшим показателя преломления слоев активной области, отличающийся тем, что в отсутствии внешнего электрического поля разрешенное энергетическое состояние в яме, находящейся в зоне проводимости, лежит по энергии ниже разрешенного энергетического состояния в яме, находящейся в валентной зоне, а барьерный слой является туннельно непрозрачным для носителей заряда, барьерный слой выполнен из полупроводниковой сверхрешетки или из варизонного полупроводникового твердого раствора, край запрещенной зоны у которых на одной из гетерограниц совпадает с краем запрещенной зоны примыкающего к этой границе основного слоя активной области, при этом край зоны проводимости барьерного слоя монотонно возрастает по энергии по направлению ко второй гетерогранице со слоем, содержащим яму в валентной зоне, и на самой гетерогранице превышает по энергии уровень разрешенного состояния в этой яме, или край валентной зоны барьерного слоя монотонно уменьшается по энергии ко второй гетерогранице со слоем, содержащим яму в зоне проводимости, и на самой границе расположен ниже по энергии уровня разрешенного состояния в этой яме, или из двух сверхрешеток или двух варизонных полупроводниковых твердых растворов, у одной из упомянутых сверхрешеток или у одного из упомянутых растворов край зоны проводимости совпадает с краем зоны проводимости основного слоя на их границе, а у второй из упомянутых сверхрешеток или у второго из упомянутых растворов край валентной зоны совпадает с краем валентной зоны основного слоя на их границе, при этом у первой из упомянутых сверхрешеток или у первого из упомянутых растворов край зоны проводимости монотонно возрастает по энергии по направлению к основному слою, содержащему яму в валентной зоне, а у второй из упомянутых сверхрешеток или у второго из упомянутых растворов край валентной зоны монотонно уменьшается по энергии по направлению к основному слою, содержащему яму в зоне проводимости, и на общей границе упомянутых сверхрешеток или растворов край зоны проводимости первой сверхрешетки или первого раствора лежит по энергии выше края валентной зоны второй сверхрешетки или второго раствора.

8. Инжекционный источник по п.7, отличающийся тем, что барьерный слой выполнен толщиной не менее 2 нм.

9. Инжекционный источник по п.7, отличающийся тем, что по меньшей мере один основной слой активной области выполнен в виде сверхрешетки.

10. Инжекционный источник по п.7, отличающийся тем, что основные слои выполнены из InAs и CaSb или их твердых растворов, разделенных барьерным слоем из CaxIn1-xAs.

11. Инжекционный источник по п.7, отличающийся тем, что основные слои выполнены из InAs и GaSb или их твердых растворов, разделенных барьерным слоем из AlxCa 1-xSb.

12. Инжекционный источник по п.10 или 11, отличающийся. тем, что слои из InAs или его твердого раствора выполнены толщиной не менее 10 нм, а слои из CaSb или его твердого раствора выполнены толщиной не менее 3 нм.

13. Инжекционный источник оптического излучения на основе гетероструктуры II типа полупроводниковых соединений и/или их твердых растворов, снабженной на внешних слоях омическими контактами и образующей активную область, содержащую по меньшей мере один набор из разделенных барьерным слоем двух основных слоев, один из которых образует квантовую яму, находящуюся в зоне проводимости, а другой основной слой образует квантовую яму в валентной зоне, при этом каждая из двух упомянутых ям имеет по меньшей мере одно разрешенное энергетическое состояние, отличающийся тем, что один из омических контактов выполнен полупрозрачным, а другой омический контакт выполнен зеркально отражающим, в отсутствии внешнего электрического поля разрешенное энергетическое состояние в яме, находящейся в зоне проводимости, лежит по энергии ниже разрешенного энергетического состояния в яме, находящейся в валентной зоне, а барьерный слой является туннельно непрозрачным для носителей заряда, барьерный слой выполнен из полупроводниковой сверхрешетки или из варизонного полупроводникового твердого раствора, край запрещенной зоны у которых на одной из гетерограниц совпадает с краем запрещенной зоны примыкающего к этой границе основного слоя активной области, при этом край зоны проводимости барьерного слоя монотонно возрастает по энергии по направлению ко второй гетерогранице со слоем, содержащим яму в валентной зоне, и на самой гетерогранице превышает по энергии уровень разрешенного состояния в этой яме, или край валентной зоны барьерного слоя монотонно уменьшается по энергии ко второй гетерогранице со слоем, содержащим яму в зоне проводимости, и на самой границе расположен ниже по энергии уровня разрешенного состояния в этой яме, или из двух сверхрешеток или двух варизонных полупроводниковых твердых растворов, у одной из упомянутых сверхрешеток или у одного из упомянутых растворов край зоны проводимости совпадает с краем зоны проводимости основного слоя на их границе, а у второй из упомянутых сверхрешеток или у второго из упомянутых растворов край валентной зоны совпадает с краем валентной зоны основного слоя на их границе, при этом у первой из упомянутых сверхрешеток или у первого из упомянутых растворов край зоны проводимости монотонно возрастает по энергии по направлению к основному слою, содержащему яму в валентной зоне, а у второй из упомянутых сверхрешеток или у второго из упомянутых растворов край валентной зоны монотонно уменьшается по энергии по направлению к основному слою, содержащему яму в зоне проводимости, и на общей границе упомянутых сверхрешеток или растворов край зоны проводимости первой сверхрешетки или первого раствора лежит по энергии выше края валентной зоны второй сверхрешетки или второго раствора.

14. Инжекционный источник по п.13, отличающийся тем, что барьерный слой выполнен толщиной не менее 2 нм.

15. Инжекционный источник по п.13, отличающийся тем, что по меньшей мере один основной слой активной области выполнен в виде сверхрешетки.

16. Инжекционный источник по п.13, отличающийся тем, что основные слои выполнены из InAs и CaSb или их твердых растворов, разделенных барьерным слоем из CaxIn1-xAs.

17. Инжекционный источник по п.13, отличающийся тем, что основные слои выполнены из InAs и CaSb или их твердых растворов, разделенных барьерным слоем из AlxCa 1-xSb.

18. Инжекционный источник по п.16 или 17, отличающийся тем, что слои из InAs или его твердого раствора выполнены толщиной не менее 10 нм, а слои из CaSb или его твердого раствора выполнены толщиной не менее 3 нм.



 

Похожие патенты:

Универсальный светодиодный модуль для освещения, подсветки и наружной рекламы с бегущей строкой относится к области светотехники, а точнее - осветительным приборам и может быть использован для изготовления осветительных систем различного назначения с использованием светодиодов для их применения, в частности, для освещения различных типов помещений, в салонах общественного транспорта, в световой рекламе, для подсветки растений и т.д. Также полезная модель может использоваться мобильно, в качестве переносного источника света. Вместе с тем полезная модель может быть применена для установки в люминесцентные светильники без изменения конструкции корпуса светильника.

Производство и установка наружных светодиодных уличных led-светильников относится к светотехнике, в частности к светодиодным светильникам и может быть широко использовано для наружного уличного освещения.

Устройство относится к области электротехники, а именно, к светодиодным приборам освещения. Может применяться в качестве рабочего, контурного, уличного, аварийного, утилитарного, заливающего, акцентного освещения, общей или скользящей подсветки стен, монтироваться в потолочные светильники или источники света прямого наблюдения. Отличаются долговечностью в использовании.
Наверх