Полупроводниковые приборы для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, а также конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей и конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них (H01L31-H01L47,H01L51 имеют преимущество и способы и устройства для изготовления или обработки приборов или их частей H01L21 и конструктивные элементы иные чем полупроводниковые приборы или электроды для них H01L23 и приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированные на одной общей подложке или внутри нее, H01L27 и резисторы (H01L29)
H01L29 Полупроводниковые приборы для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, а также конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них (H01L31-H01L47,H01L51 имеют преимущество; способы и устройства для изготовления или обработки приборов или их частей H01L21; конструктивные элементы иные чем полупроводниковые приборы или электроды для них H01L23; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированные на одной общей подложке или внутри нее, H01L27; резисторы(72)
Полезная модель относится к области радиотехники и электроники. .
Полезная модель относится к области метаматериалов оптического диапазона длин волн и может быть применена для создания искусственных материалов, изменяющих характеристики в оптическом диапазоне длин волн.
Полезная модель относится к силовой полупроводниковой электронике и может быть использована в конструкциях биполярных переключателях с S-образной характеристикой, т.
Полезная модель относится к области энергетики, в частности, к суперконденсаторам - энергонакопительным приборам на основе оксидов переходных металлов.
Полезная модель относится к силовым полупроводниковым приборам, а именно, к конструкции тиристоров с электрическим управлением.
Полезная модель относится к электронной технике. .
Полезная модель относится к области электронной техники, в частности, к конструкции чипов высоковольтных диодов Шоттки на основе карбида кремния, и может использоваться в импульсных преобразователях электроэнергии в составе силовых высоковольтных диодно-транзисторных модулей.
Полезная модель относится к полупроводниковым наногетероструктурам InAlAs/InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов типа МНЕМТ (metamorphic high electron mobility transistor), используемым для изготовления СВЧ транзисторов и монолитных интегральных схем миллиметрового диапазона длин волн.
Устройство отличается от аналогов тем, что части базовых и эмиттерных шин, входящих в его состав, размещены над эмиттерными и базовыми полосами, покрытыми изолирующим слоем..
Полезная модель относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для усиления СВЧ-электромагнитных колебаний.
Полезная модель относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для усиления СВЧ-электромагнитных колебаний.
Полезная модель относится к полупроводниковой электронике и может быть применена в конструкциях мощных полупроводниковых приборов.
Полезная модель относится к области конструирования и производства мощных СВЧ транзисторов.. .
Полезная модель относится к наноразмерным полупроводниковым структурам, содержащим систему квазиодномерных проводящих каналов, используемых для изготовления приборов наноэлектроники и нанофотоники.
Полезная модель относится к электрооборудованию транспортных средств, в частности, к силовым полупроводниковым выпрямительным устройствам для транспортного средства, например, тепловоза.
Полезная модель относится к полупроводниковым МНЕМТ (metamorphic high electron mobility transistor) наногетероструктурам, используемым для изготовления СВЧ транзисторов и монолитных интегральных схем с высокой рабочей частотой и большими пробивными напряжениями.
Полезная модель относится к полупроводниковым МНЕМТ (metamorphic high electron mobility transistor) наногетероструктурам, используемым для изготовления СВЧ транзисторов и монолитных интегральных схем с высокой рабочей частотой и большими пробивными напряжениями.
Изобретение относится к конструкции корпуса фототиристора и других полупроводниковых приборов таблеточного исполнения с оптическим управлением (фотосимисторов, фототранзисторов и др.).
Изобретение относится к технике СВЧ, в частности к переключателям СВЧ мощности и может быть использовано для переключения СВЧ сигналов между каналами приема (передачи) в СВЧ приемниках (передатчиках).