Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой (C30B29)

C30 Выращивание кристаллов (разделение кристаллизацией вообще B01D9)(81)

C30B Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (81)

C30B29 Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой (сплавы C22C)(27)

C30B29/04 - Алмаз(2)

C30B29/06 - Кремний(9)

C30B29/14 - Фосфаты(2)

C30B29/16 - Оксиды(1)

C30B29/18 - Кварц(1)

C30B29/20 - Оксиды алюминия(3)

C30B29/22 - Сложные оксиды(2)

C30B29/36 - Карбиды(1)

C30B29/38 - Нитриды(2)

C30B29/40 - Соединения типа a_iiib_v(1)

C30B29/48 - Соединения типа a_iib_vi(1)

C30B29/50 - Сульфид кадмия(2)

C30B29/62 - Нитевидные кристаллы или иглы(1)

Формообразователь для выращивания из расплава тугоплавких соединений кристаллов эллиптической формы // 154654

Полезная модель относится к области выращивания из расплава профилированных кристаллов тугоплавких соединений, например, лейкосапфира, рубина, алюмоиттриевого граната и других тугоплавких соединений, по способу Степанова, эллиптической формы, которые могут быть использованы в лазерной технике, приборостроении, машиностроении.

Установка для выращивания профилированных кристаллов из раствора // 153519

Тигель для выращивания кристаллов высоколетучих материалов // 153101

Полезная модель относится к оборудованию, используемому в технологии выращивания кристаллов неорганических соединений из расплава методом вертикальной направленной кристаллизации, в частности фторидных кристаллов, которые широко используются, например, в электронно-оптических приборах.

Реактор для изготовления изделий, содержащих кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности // 130996

Система низкотемпературной конденсации парогазовой смеси // 126617

Установка для разделения и подготовки хлористого водорода и хлорсиланов технологической линии производства поликристаллического кремния // 126325

Держатель прутков-подложек установки для осаждения поликристаллического кремния // 125200

Установка для выращивания монокристаллов сложных оксидных соединений из раствора-расплава на затравку // 123011

Устройство для получения монокристаллических волокон из тугоплавких материалов // 120103

Установка для получения порошкообразного нитрида алюминия высокой чистоты // 117153

Полезная модель относится к устройствам для получения полупроводниковых материалов, а именно порошкового нитрида алюминия для использования в производстве металлокерамических, керамических, композиционных и др.

Устройство для получения поликристаллического кремния // 115361

Изобретение относится к производству поликристаллического кремния (ПК) и касается устройства для конверсии тетрахлорида кремния в ПК и его вывода из реакционной зоны с целью получения фотогальванических преобразователей энергии.

Установка, печь и нагреватель печи для изготовления композиционного оптического материала селенид цинка/сульфид цинка // 111140

Реактор для получения стержней поликристаллического кремния // 106894

Изобретение относится к устройствам, специально предназначенным для выращивания стержней поликристаллического кремния, а именно для выращивания стержней поликристаллического кремния, преимущественно путем осаждения из газовой фазы на подогреваемые стержневые подложки (основы).