Выращивание монокристаллов зонной плавкой и очистка зонной плавкой (C30B13)

C30B     Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (81)
C30B13                 Выращивание монокристаллов зонной плавкой; очистка зонной плавкой (C30B17 имеет преимущество; изменением поперечного сечения обрабатываемого твердого тела C30B15; под защитной жидкостью C30B27; для выращивания гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой C30B28; зонная очистка особых материалов классифицируется в соответствующих подклассах для материалов)(2)
 
2548739.
Наверх